交流溅射和直流溅射的主要区别在于所使用的电源类型，以及这对溅射过程和可有效溅射材料的影响。
交流溅射：
- 电源： 交流溅射使用中频交流电源而非直流电源。电源的这种变化导致目标电位为交变脉冲电压，而不是恒定的负电压。
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优点
- 消除异常放电： 交变电压有助于消除异常放电现象，因为异常放电会破坏溅射过程。
- 增强等离子体密度： 使用交流电可提高基片附近的等离子体密度，从而提高沉积薄膜的质量和均匀性，而无需在靶材上采取额外的冷却措施。
- 靶材的多样性： 交流溅射可有效溅射ZAO（氧化锌铝）靶材和其他半导体靶材等材料。它还避免了射频（RF）溅射带来的健康风险。
- 沉积过程的稳定性： 它能消除中等薄膜反应溅射过程中靶材中毒的问题，从而稳定沉积过程。
- 控制和均匀性： 工艺参数更容易控制，从而使薄膜厚度更均匀。
直流溅射：
- 电源： 直流溅射使用直流电源。
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特点
- 腔室压力： 腔室压力通常在 1 到 100 mTorr 之间。
- 靶材适用性： 直流电源适用于导电目标材料，如铁、铜和镍等纯金属。
- 沉积速率： 纯金属靶材的沉积率通常较高。
- 工艺简单： 这是一种简单的技术，适合处理大量的大型基底。
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局限性：
- 与绝缘材料不相容： 直流溅射对绝缘材料并不理想，因为绝缘材料会积累电荷，干扰溅射过程。
- 需要精确控制： 要获得最佳效果，对气体压力、目标与基片的距离和电压等工艺因素进行精确调节至关重要。
总之，虽然直流溅射对导电材料很有效，并提供了一种直接、经济的方法，但交流溅射提供了更强的控制、稳定性和多功能性，尤其有利于溅射半导体和绝缘材料。选择交流溅射还是直流溅射取决于待溅射材料的具体要求和沉积薄膜的预期特性。
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