Cvd和溅射镀膜有什么区别？选择正确的薄膜沉积方法

从本质上讲，化学气相沉积（CVD）和溅射镀膜之间的区别在于化学反应与物理转移。CVD利用前体气体的化学反应在表面“生长”薄膜，就像露水在叶子上形成一样。溅射是物理气相沉积（PVD）的一种形式，它利用高能离子轰击物理地将原子从靶材上撞击下来，然后这些原子像细小的喷雾一样沉积到表面上。

CVD和溅射之间的根本选择是化学过程和物理过程之间的选择。CVD擅长均匀涂覆复杂形状，但通常需要高温，而溅射是一种低温物理过程，非常适合热敏材料和高纯度薄膜。

核心区别：化学生长与物理冲击

将材料从源头转移到基底的机制是这两种方法之间最重要的区别。它直接影响工艺参数和最终薄膜的性能。

化学气相沉积涉及将挥发性前体气体引入包含基底的反应室。

当这些气体与受热的基底接触时，它们会发生反应或分解，留下固体材料形成所需的薄膜。例如，固体葡萄糖可以被加热以产生碳蒸气，从而涂覆电池组件。

这个过程不是视线传播的；气体在物体周围流动，从而实现共形涂层，即使是复杂的、三维的形状和内部通道也能均匀覆盖。

溅射始于一块固体涂层材料，称为靶材。将此靶材放置在充满惰性气体（如氩气）的真空室中。

施加高电压，产生等离子体并将氩离子加速到靶材。这些离子以巨大的力量撞击靶材，从而物理地喷射或“溅射”出靶材的原子。

这些被喷射出的原子穿过腔室并沉积到基底上，原子逐层地形成薄膜。

您选择CVD还是溅射完全取决于您应用的具体要求，包括基底材料、所需的薄膜性能以及零件几何形状的复杂性。

CVD工艺通常需要高温来驱动基底表面必要的化学反应。这使得CVD不适用于塑料或许多生物样品等热敏材料。

相比之下，溅射是一种低温过程。基底可以保持在室温或接近室温，使其成为涂覆热敏材料的首选方法。

CVD是共形覆盖的无可争议的冠军。因为它依赖于能够渗透微小特征和内部表面的气体，所以它甚至能在最复杂的几何形状上产生异常均匀的薄膜。

溅射更像是一种视线传播技术。虽然它可以涂覆三维物体，但它可能难以均匀覆盖深沟槽、尖角或隐藏的内部表面。

CVD仅限于存在挥发性化学前体且足够稳定可用的材料。所得薄膜的纯度取决于反应效率和前体气体的纯度。

溅射用途广泛，几乎可以沉积任何可以制成固体靶材的材料，包括金属、合金和陶瓷。它是一种非常直接的材料转移，通常会产生非常高纯度的薄膜。

以您的主要目标来指导您的决策。

了解您的应用需要化学生长过程还是物理沉积过程是选择正确技术的关键。