说到溅射，主要有两种类型：直流溅射和射频溅射。
它们之间的主要区别在于所使用的电源类型。
这种差异会影响溅射过程和所涉及的材料。
直流溅射和射频溅射的 4 个主要区别
1.电源和工作压力
直流溅射：
- 使用直流电源。
- 通常需要较高的腔室压力，约 100 mTorr。
- 较高的压力会导致带电等离子体粒子与目标材料之间发生更多碰撞。
- 这会影响沉积效率和均匀性。
射频溅射：
- 使用射频（RF）电源。
- 工作压力低得多，低于 15 mTorr。
- 较低的压力可减少碰撞次数。
- 这为溅射粒子到达基底提供了更直接的途径。
- 提高沉积薄膜的质量和均匀性。
2.目标材料的处理
直流溅射：
- 会在靶材上产生电荷积聚。
- 这种堆积可能导致电弧和其他不稳定现象。
- 使用绝缘材料时问题尤为突出。
射频溅射：
- 射频功率的交变电流特性有助于中和电荷积聚。
- 这在溅射绝缘材料时尤其有利。
- 射频功率可有效地对目标放电。
- 防止电荷积累并保持稳定的等离子体环境。
3.沉积效率和电压要求
直流溅射：
- 通常需要较低的电压，2,000-5,000 伏。
- 电子直接离子轰击气体等离子体。
- 对导电材料有效，但对绝缘体可能具有挑战性。
射频溅射：
- 需要更高的电压，1,012 伏或更高。
- 利用动能从气体原子的外壳中去除电子。
- 功率消耗较大，但可溅射更多材料。
- 包括绝缘体。
4.结论
射频溅射在操作灵活性方面具有优势。
它特别适合需要高质量薄膜的应用。
对于涉及导电材料的应用，直流溅射更简单、更经济。
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