溅射和电子束蒸发都是物理气相沉积的形式，但它们的沉积过程不同。
电子束蒸发是一种热蒸发工艺，电子束聚焦在源材料上，使高温材料气化。它适用于沉积高熔点材料，常用于大批量生产和薄膜光学涂层。不过，它不适合在复杂几何形状的内表面镀膜，而且这种工艺中使用的灯丝降解会导致蒸发率不均匀，结果不够精确。
另一方面，溅射是一种使用通电等离子体原子（通常是氩气）射向带负电的源材料的工艺。通电原子的撞击导致源材料中的原子断裂并附着在基底上，形成薄膜。溅射在真空中进行，温度比电子束蒸发低。它的沉积率较低，尤其是对电介质而言，但能为更复杂的基底提供更好的涂层覆盖率，并能生产高纯度薄膜。
总之，溅射和电子束蒸发的主要区别在于
1.沉积工艺：电子束蒸发使用热蒸发，而溅射使用通电等离子体原子从源材料中移除原子。
2.温度：电子束蒸发的温度高于溅射。
3.沉积速率：与电子束蒸发相比，溅射的沉积率较低，尤其是电介质。
4.涂层覆盖率：溅射可为复杂基底提供更好的涂层覆盖率。
5.应用：电子束蒸发更适用于大批量生产和薄膜光学涂层，而溅射通常用于要求高度自动化和复杂基底涂层的应用。
在选择溅射还是电子束蒸发来满足特定涂层要求时，应考虑这些差异。
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