热蒸发和电子束蒸发的主要区别在于蒸发材料的方法不同。热蒸发使用电流加热坩埚，使源材料熔化并蒸发，而电子束蒸发则使用高能电子束直接加热源材料。
热蒸发：
在热蒸发过程中，需要将装有材料的坩埚加热到高温，使材料蒸发。汽化后的材料凝结在基底上形成薄膜。这种方法非常适合需要较低熔化温度的材料，如金属和非金属。不过，热蒸发会导致薄膜涂层的密度较低，而且由于坩埚被加热，产生杂质的风险较大。与电子束蒸发相比，热蒸发的沉积率通常较低。电子束蒸发：
- 电子束蒸发则是利用一束高能电子直接加热材料。这种方法能够将材料加热到更高的温度，从而实现高温材料和难熔金属（如钨、钽或石墨）的蒸发。在电子束蒸发过程中使用水冷铜炉，可确保局部加热，保持源材料的纯度，并防止邻近组件的污染。这种方法还具有更高的沉积率和更强的可控性，但需要复杂而昂贵的电子设备。比较：
- 加热法： 热蒸发使用电流加热坩埚，而电子束蒸发则使用高能电子束直接加热材料。
- 材料适用性： 热蒸发适用于熔点较低的材料，而电子束蒸发可处理熔点较高的材料。
- 纯度和杂质： 电子束蒸发由于采用局部加热，无需坩埚加热，可降低杂质风险，因此通常可获得纯度更高的薄膜。
- 沉积速率： 与热蒸发相比，电子束蒸发的沉积率更高。
复杂性和成本：
电子束蒸发系统更为复杂和昂贵，需要先进的电子设备和安全功能。
