半导体薄膜工艺涉及在基底（通常由硅或碳化硅制成）上沉积导电、半导体和绝缘材料层。
这一工艺对集成电路和分立半导体器件的制造至关重要。
利用光刻技术对各层材料进行精心图案化，可同时制造出多种有源和无源器件。
你需要了解的半导体薄膜工艺的 5 个关键方面
沉积方法
薄膜沉积的两种主要方法是化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。
在化学气相沉积法中，气态前驱体在基底上发生反应并沉积，形成薄膜。
而物理气相沉积则涉及将材料气化并冷凝到基底上的物理过程。
PVD 采用电子束蒸发等技术，利用高能电子束加热源材料，使其蒸发并沉积到基底上。
薄膜特性
薄膜厚度通常小于 1000 纳米，是决定半导体应用和性能的关键。
薄膜可掺杂磷或硼等杂质，以改变其电气特性，使其从绝缘体转变为半导体。
应用与创新
薄膜技术不仅限于传统的半导体，还扩展到聚合物化合物层的制造，应用于柔性太阳能电池和有机发光二极管（OLED）等，后者用于各种电子设备的显示面板。
工艺概述
该工艺首先从源发射微粒，然后将微粒传送到基底，在基底上凝结。
基板通常被称为 "晶片"，必须非常平整，以确保沉积层的均匀性和质量。
每一层都被精确地图案化，以便制造复杂的电子元件。
总结
总之，半导体薄膜工艺是一种复杂的方法，涉及使用 CVD 和 PVD 等技术在基底上沉积多层材料。
这种工艺对现代电子设备的制造至关重要，每一层都对设备的功能和性能起着关键作用。
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