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半导体薄膜工艺涉及在基底（通常由硅或碳化硅制成）上沉积导电、半导体和绝缘材料层。这一工艺对集成电路和分立半导体器件的制造至关重要。使用光刻技术对各层进行精心图案化，可同时制造出多种有源和无源器件。
沉积方法：
薄膜沉积的两种主要方法是化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。在化学气相沉积法中，气态前驱体在基底上发生反应并沉积，形成薄膜。而物理气相沉积则涉及将材料气化并冷凝到基底上的物理过程。PVD 采用电子束蒸发等技术，使用高能电子束加热源材料，使其蒸发并沉积到基底上。薄膜特性：
薄膜厚度通常小于 1000 纳米，是决定半导体应用和性能的关键。薄膜可掺杂磷或硼等杂质，以改变其电气特性，使其从绝缘体转变为半导体。
应用与创新：
薄膜技术不仅限于传统的半导体，还扩展到聚合物化合物层的制造，应用于柔性太阳能电池和有机发光二极管（OLED）等，后者用于各种电子设备的显示面板。
工艺概述：
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