CVD 和 PECVD 炉
倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积PECVD设备管式炉
货号 : KT-PE16
价格根据 规格和定制情况变动
- 最高温度
- 1600 ℃
- 恒定工作温度
- 1550 ℃
- 炉管直径
- 60 mm
- 加热区长度
- 2x300 mm
- 升温速率
- 0-10 ℃/min
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简介
倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积（PECVD）管式炉是一种等离子体增强旋转化学气相沉积系统，它利用旋转炉管和等离子体发生器在气体放电中诱导化学反应。该过程产生多种化学物质，可用于在材料上形成固体沉积物。该设备配备三通质量流量计和气体混合装置，可精确控制工艺中使用的气体。旋转炉管可确保材料的均匀加热和混合，而等离子体发生器则提供化学反应所需的活化能。该设备还配备高性能机械泵，可快速将炉管抽至真空。
应用
PECVD管式炉广泛应用于各种领域，包括：
- 半导体制造：PECVD用于在半导体晶圆上沉积氮化硅、二氧化硅和多晶硅等材料的薄膜。
- 太阳能电池制造：PECVD用于在太阳能电池上沉积碲化镉和铜铟镓硒等材料的薄膜。
- 平板显示器制造：PECVD用于在平板显示器上沉积氧化铟锡和氧化锌等材料的薄膜。
- 光学涂层：PECVD用于在光学元件上沉积二氧化钛和氮化硅等材料的薄膜。
- 医疗器械制造：PECVD用于在医疗器械上沉积羟基磷灰石和氮化钛等材料的薄膜。
原理
倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积（PECVD）管式炉是一种等离子体增强旋转化学气相沉积系统。炉管采用变径设计并带有混合挡板，可实现均匀加热和高效的材料混合。通过感应耦合连接的等离子体发生器覆盖炉管，提供更高的活化能，降低反应温度，提高效率。该设备采用三通质量流量计和气体混合装置进行精确的气体控制。此外，高性能机械泵可快速抽空炉管，创造适合各种CVD工艺的真空环境。
特点
倾斜旋转等离子体增强化学气相沉积（PECVD）管式炉拥有众多尖端功能，助力研究人员和工程师在材料加工领域取得无与伦比的成果：
- 精确的温度控制：PID可编程温度控制确保卓越的精度和稳定性，可实现精确的加热和冷却循环，以获得最佳材料性能。
- 多功能等离子体源：功率范围为5-500W的射频等离子体源提供灵活的等离子体产生控制，促进高效定制化的材料沉积。
- 均匀混合和加热：带有变径设计和混合挡板的旋转炉管确保材料充分混合和均匀加热，从而获得一致的高质量沉积结果。
- 自动滑动系统：炉腔的滑动系统可实现快速加热和冷却，缩短加工时间，提高生产效率。
- 精确的气体控制：高精度MFC质量流量计和气体混合装置可精确控制气体成分和流量，优化特定材料和应用的沉积工艺。
- 坚固的结构：带可调端口的不锈钢真空法兰可确保可靠的密封和高真空度，维持洁净的沉积环境。
- 直观的界面：CTF Pro控制器配备7英寸TFT触摸屏，提供用户友好的程序设置、数据分析和远程控制功能，简化操作和数据管理。
优势
- 射频等离子体自动匹配源，宽广的5-500W输出功率范围，输出稳定
- 炉腔滑动系统，可实现高速加热和短时冷却，并提供辅助快速冷却和自动滑动移动
- PID可编程温度控制，控制精度卓越，支持远程控制和集中控制
- 高精度MFC质量流量计控制，源气体预混合和稳定的气体供应速度
- 不锈钢真空法兰带各种适配端口，满足不同的真空泵站设置，密封性好，真空度高
- CTF Pro采用一个7英寸TFT触摸屏控制器，更友好的程序设置和历史数据分析
- 维护量低；易于安装；坚固的设计；顶级性能；更长的工作寿命。
安全优势
- Kindle Tech管式炉具有过流保护和超温报警功能，炉子将自动断电
- 炉子内置热电偶检测功能，一旦检测到断裂或故障，炉子将停止加热并发出警报
- PE Pro支持断电重启功能，来电后炉子将恢复加热程序
技术规格
| 炉型 | PE-1600-60 |
|---|---|
| 最高温度 | 1600℃ |
| 恒温工作温度 | 1550℃ |
| 炉管材质 | 高纯氧化铝管 |
| 炉管直径 | 60mm |
| 加热区长度 | 2x300mm |
| 炉腔材质 | 日本氧化铝纤维 |
| 加热元件 | 二硅化钼 |
| 升温速率 | 0-10℃/min |
| 热电偶 | B型 |
| 温控器 | 数字PID控制器/触摸屏PID控制器 |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 射频等离子体单元 | |
| 输出功率 | 5 -500W可调，±1%稳定性 |
| 射频频率 | 13.56 MHz ±0.005%稳定性 |
| 反射功率 | 最大350W |
| 匹配 | 自动 |
| 噪音 | <50 dB |
| 冷却 | 风冷。 |
| 气体精密控制单元 | |
| 流量计 | MFC质量流量计 |
| 气体通道 | 4通道 |
| 流量 | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| 线性度 | ±0.5% F.S. |
| 重复性 | ±0.2% F.S. |
| 管道和阀门 | 不锈钢 |
| 最大工作压力 | 0.45MPa |
| 流量计控制器 | 数字旋钮控制器/触摸屏控制器 |
| 标准真空单元（可选） | |
| 真空泵 | 旋片真空泵 |
| 泵流量 | 4L/S |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空计 | 皮拉尼/电阻硅真空计 |
| 额定真空压力 | 10Pa |
| 高真空单元（可选） | |
| 真空泵 | 旋片泵+分子泵 |
| 泵流量 | 4L/S+110L/S |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空计 | 复合真空计 |
| 额定真空压力 | 6x10-5Pa |
| 以上规格和配置均可定制 | |
标准配置
| 序号 | 描述 | 数量 |
|---|---|---|
| 1 | 炉子 | 1 |
| 2 | 石英管 | 1 |
| 3 | 真空法兰 | 2 |
| 4 | 炉管隔热块 | 2 |
| 5 | 炉管隔热块挂钩 | 1 |
| 6 | 耐热手套 | 1 |
| 7 | 射频等离子体源 | 1 |
| 8 | 精密气体控制 | 1 |
| 9 | 真空单元 | 1 |
| 10 | 操作手册 | 1 |
可选配置
- 炉内气体检测和监测，如H2、O2等
- 独立的炉温监测和记录
- RS 485通信端口，用于PC远程控制和数据导出
- 插入式气体进气流量控制，如质量流量计和浮子流量计
- 带多种用户友好功能的触摸屏温控器
- 高真空泵站配置，如旋片真空泵、分子泵、扩散泵
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
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FAQ
什么是物理气相沉积（PVD）？
什么是 PECVD 方法？
用于沉积薄膜的方法有哪些？
什么是 Mpcvd？
什么是磁控溅射？
CVD 的基本原理是什么？
PECVD 有哪些用途？
什么是薄膜沉积设备？
什么是 MPCVD 设备？
为什么选择磁控溅射？
有哪些不同类型的 CVD 方法？
PECVD 有哪些优势？
什么是薄膜沉积技术？
Mpcvd 有哪些优势？
用于薄膜沉积的材料有哪些？
薄膜沉积通常使用金属、氧化物和化合物作为材料，每种材料都有其独特的优缺点。金属因其耐用性和易于沉积而受到青睐，但价格相对昂贵。氧化物非常耐用，可耐高温，并可在低温下沉积，但可能比较脆，难以操作。化合物具有强度和耐久性，可在低温下沉积，并可定制以显示特定性能。
薄膜涂层材料的选择取决于应用要求。金属是热传导和电传导的理想材料，而氧化物则能有效提供保护。可根据具体需求定制化合物。最终，特定项目的最佳材料将取决于应用的具体需求。
使用化学气相沉积设备有哪些优势？
ALD 和 PECVD 的区别是什么？
使用薄膜沉积设备有哪些优势？
CVD 钻石是真的还是假的？
实现最佳薄膜沉积的方法有哪些？
要获得具有理想特性的薄膜，高质量的溅射靶材和蒸发材料至关重要。
溅射靶材或蒸发材料的纯度起着至关重要的作用，因为杂质会导致生成的薄膜出现缺陷。晶粒大小也会影响薄膜的质量，晶粒越大，薄膜的性能越差。
要获得最高质量的溅射靶材和蒸发材料，选择纯度高、晶粒度小、表面光滑的材料至关重要。
薄膜沉积的用途
氧化锌薄膜
氧化锌薄膜可应用于热学、光学、磁学和电气等多个行业，但其主要用途是涂层和半导体器件。
磁性薄膜
磁性薄膜是电子、数据存储、射频识别、微波设备、显示器、电路板和光电子技术的关键元件。
光学薄膜
光学镀膜和光电子技术是光学薄膜的标准应用。分子束外延可以生产光电薄膜设备（半导体），外延薄膜是一个原子一个原子地沉积到基底上的。
聚合物薄膜
聚合物薄膜可用于存储芯片、太阳能电池和电子设备。化学沉积技术（CVD）可精确控制聚合物薄膜涂层，包括一致性和涂层厚度。
薄膜电池
薄膜电池为植入式医疗设备等电子设备提供动力，由于薄膜的使用，锂离子电池的发展突飞猛进。
薄膜涂层
薄膜涂层可增强各行业和技术领域目标材料的化学和机械特性。
薄膜太阳能电池
薄膜太阳能电池对于太阳能产业至关重要，它可以生产相对廉价的清洁电力。光伏系统和热能是两种主要的适用技术。
化学气相沉积设备有哪些应用？
PECVD 和溅射有什么区别？
选择薄膜沉积设备时应考虑哪些因素？
影响薄膜沉积的因素和参数
沉积速率：
薄膜的生成速率（通常以厚度除以时间来衡量）对于选择适合应用的技术至关重要。对于薄膜而言，适度的沉积速率就足够了，而对于厚膜而言，快速沉积速率则是必要的。在速度和精确薄膜厚度控制之间取得平衡非常重要。
均匀性：
薄膜在基底上的一致性称为均匀性，通常指薄膜厚度，但也可能与折射率等其他属性有关。
填充能力：
填充能力或台阶覆盖率是指沉积工艺对基底形貌的覆盖程度。所使用的沉积方法（如 CVD、PVD、IBD 或 ALD）对台阶覆盖率和填充有重大影响。
薄膜特性：
薄膜的特性取决于应用要求，可分为光子、光学、电子、机械或化学要求。大多数薄膜必须满足一个以上类别的要求。
制程温度：
薄膜特性受制程温度的影响很大，这可能受到应用的限制。
损坏：
每种沉积技术都有可能损坏沉积在其上的材料，而较小的特征更容易受到制程损坏。污染、紫外线辐射和离子轰击都是潜在的损坏源。了解材料和工具的局限性至关重要。
选择化学气相沉积设备时应考虑哪些因素？
操作薄膜沉积设备有哪些安全注意事项？
化学气相沉积机能否用于多层薄膜沉积？
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I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.
4.7
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The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.
4.9
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The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.
4.6
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The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.
4.8
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The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.
4.7
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The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.
4.9
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The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.
4.6
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The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.
4.8
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The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.
4.7
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The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.
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The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.
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The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.
4.8
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The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.
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