产品 热能设备 CVD 和 PECVD 炉 Inclined rotary plasma enhanced chemical deposition (PECVD) tube furnace machine
倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉设备

CVD 和 PECVD 炉

倾斜旋转式等离子体增强化学沉积(PECVD)管式炉设备

货号 : KT-PE16

价格根据 specs and customizations


最高温度
1600 ℃
恒定工作温度
1550 ℃
炉管直径
60 毫米
加热区长度
2x300 毫米
加热速率
0-10 ℃/min
ISO & CE icon

运输:

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应用

KT-PE16 倾斜旋转式 PECVD 炉 PECVD 炉由一个 500W 射频等离子源、一个双区 TF-1200 管式炉、4 个 MFC 气体精确控制单元和一个标准真空站组成。炉子的最高工作温度可达 1600℃。工作温度高达 1600℃,炉管为直径 60mm 的 Al2O2 陶瓷管;4 通道 MFC 质量流量计,气源为 CH4、H2、O2 和 N2;真空站为 1 台 4L/S 旋片真空泵,最大真空压力为 10P。真空压力可达 10Pa

优点

  • 射频等离子体自动匹配源,5-500W 宽输出功率范围,输出稳定
  • 高速加热和短时间冷却的炉腔滑动系统,可辅助快速冷却和自动滑动运动
  • PID 可编程温度控制,控制精度高,支持远程控制和集中控制
  • 高精度 MFC 质量流量计控制,源气预混,供气速度稳定
  • 不锈钢真空法兰,多种适配接口,满足不同真空泵站设置,密封性好,真空度高
  • CTF Pro 采用一个 7 英寸 TFT 触摸屏控制器,程序设置和历史数据分析更友好

安全优势

  • Kindle Tech 管式炉具有过流保护和过温报警功能,炉子会自动关闭电源
  • 炉子内置热耦合检测功能,一旦检测到破损或故障,炉子将停止加热并报警
  • PE Pro 支持断电重启功能,故障后接通电源时,炉子将恢复加热程序

技术规格

炉子型号 PE-1600-60
最高温度 1600℃
恒定工作温度 1550℃
炉管材料 高纯度 Al2O3 管
炉管直径 60 毫米
加热区长度 2x300 毫米
炉膛材料 日本氧化铝纤维
加热元件 二硅化钼
加热速率 0-10℃/min
热耦合 B 型
温度控制器 数字 PID 控制器/触摸屏 PID 控制器
温度控制精确度 ±1℃
射频等离子装置
输出功率 5 -500W 可调,稳定性 ± 1%
射频频率 13.56 MHz ±0.005% 稳定度
反射功率 最大 350W
匹配 自动
噪音 <50 分贝
冷却 空气冷却
气体精确控制装置
流量计 MFC 质量流量计
气体通道 4 个通道
流量 MFC1: 0-5SCCM O2
mfc2: 0-20scmch4
mfc3: 0- 100sccm h2
mfc4: 0-500 sccm n2
线性度 ±0.5% F.S.
重复性 ±0.2% F.S.
管路和阀门 不锈钢
最大工作压力 0.45 兆帕
流量计控制器 数字旋钮控制器/触摸屏控制器
标准真空装置(可选)
真空泵 旋片式真空泵
泵流量 4 升/秒
真空吸入口 KF25
真空规 皮拉尼/电阻硅真空计
额定真空压力 10Pa
高真空单元(可选)
真空泵 旋片泵+分子泵
泵流量 4L/S+110L/S
真空吸入口 KF25
真空规 复合真空计
额定真空压力 6x10-5Pa
以上规格和设置可定制

标准包装

编号 说明 数量
1 熔炉 1
2 石英管 1
3 真空法兰 2
4 导管隔热块 2
5 导管隔热块挂钩 1
6 耐热手套 1
7 射频等离子源 1
8 精确气体控制 1
9 真空装置 1
10 操作手册 1

可选设置

  • 管内气体检测和监控,如 H2、O2 等
  • 独立炉温监控和记录
  • RS 485 通信端口,用于 PC 远程控制和数据输出
  • 插入式气体进料流量控制,如质量流量计和浮子流量计
  • 触摸屏温度控制器,具有方便操作的多种功能
  • 高真空泵站设置,如叶片真空泵、分子泵和扩散泵

警告

操作员安全是最重要的问题! 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的,操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的,操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时,尤其是在真空下,也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。

为您而设计

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请将您的想法告诉我们,我们的工程师已经为您准备好了!

FAQ

什么是管式炉?

实验管式炉是一种经典的外加热高温管式炉,又名热壁加热炉。

根据工作温度的不同,炉管材料通常可采用透明石英管、高纯氧化铝陶瓷管和高强度金属合金管。

为满足不同的热研究目的,管式炉可设计成多加热区,以便灵活控制管工作室内的温度梯度;炉管可在可控气氛工作环境或高真空工作环境中工作。

什么是 CVD 炉?

化学气相沉积(CVD)是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源,使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应,从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说,就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室,然后相互反应形成新的材料,并沉积在基片表面。

CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统,广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。

管式炉如何工作?

管式炉的加热元件放置在圆柱形腔体周围,炉子只能通过间接热辐射加热圆柱形腔体中的样品,由于炉管可以防止样品材料与炉子加热元件和绝缘材料接触,因此管式炉创造了一个清洁的隔离热室,降低了样品材料被炉子污染的风险。

CVD 炉是如何工作的?

CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。

真空泵用于排除反应管内的空气,确保反应管内没有多余的气体,然后管式炉将反应管加热到目标温度,反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应,在CVD炉内形成化学气相沉积。

CVD 的基本原理是什么?

化学气相沉积(CVD)的基本原理是将基底暴露在一种或多种挥发性前驱体中,这些前驱体在基底表面发生反应或分解,产生薄膜沉积。该工艺可用于各种应用,如图案化薄膜、绝缘材料和导电金属层。CVD 是一种多功能工艺,可以合成涂层、粉末、纤维、纳米管和整体元件。它还能生产大多数金属和金属合金及其化合物、半导体和非金属系统。气相化学反应在加热表面沉积固体是 CVD 工艺的特点。

什么是 PECVD 方法?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)是半导体制造中的一种工艺,用于在微电子设备、光伏电池和显示面板上沉积薄膜。在 PECVD 过程中,前驱体以气态进入反应室,在等离子反应介质的帮助下,前驱体在比 CVD 低得多的温度下解离。PECVD 系统具有出色的薄膜均匀性、低温处理和高产能。随着对先进电子设备需求的不断增长,PECVD 系统将在半导体行业发挥越来越重要的作用。

PACVD 如何工作?

PACVD 的工作原理是将前驱体气体混合物引入真空室,在真空室中产生等离子体。等离子体源(通常是射频 (RF) 发生器)会给气体通电,将其分解为活性物质。然后,这些活性物质与基底表面发生反应,形成薄膜涂层。等离子体还有助于基底的活化和清洁,促进附着力并改善薄膜性能。

用于沉积薄膜的方法有哪些?

沉积薄膜的两种主要方法是化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。化学气相沉积法是将反应气体引入一个腔室,使其在晶片表面发生反应,形成固体薄膜。PVD 不涉及化学反应;相反,组成材料的蒸汽在腔室内产生,然后在晶片表面凝结成固体薄膜。常见的 PVD 类型包括蒸发沉积和溅射沉积。三种蒸发沉积技术分别是热蒸发、电子束蒸发和感应加热。

管式炉有哪些用途?

管式炉主要应用于冶金、玻璃、热处理、锂电正负极材料、新能源、磨料磨具等行业,是在一定温度条件下测量材料的专业设备。

管式炉具有结构简单、操作方便、易于控制、可连续生产等特点。

管式炉还广泛应用于 CVD(化学气相沉积)和等离子体增强 CVD 系统。

在 CVD 过程中使用哪种气体?

CVD过程中可以使用的气源非常多,常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原,因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。

我们以CVD石墨烯生长为例,CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。

有哪些不同类型的 CVD 方法?

不同类型的 CVD 方法包括常压 CVD (APCVD)、低压 CVD (LPCVD)、超高真空 CVD、气溶胶支持的 CVD、直接液体喷射 CVD、热壁 CVD、冷壁 CVD、微波等离子体 CVD、等离子体增强 CVD (PECVD)、远程等离子体增强 CVD、低能量等离子体增强 CVD、原子层 CVD、燃烧 CVD 和热丝 CVD。这些方法的化学反应触发机制和操作条件各不相同。

PECVD 有哪些用途?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)广泛应用于半导体行业的集成电路制造,以及光伏、摩擦学、光学和生物医学领域。它用于沉积微电子器件、光伏电池和显示面板的薄膜。PECVD 可生产出普通 CVD 技术无法生产的独特化合物和薄膜,以及具有高耐溶剂性和耐腐蚀性、化学稳定性和热稳定性的薄膜。它还可用于生产大表面的均质有机和无机聚合物,以及用于摩擦学应用的类金刚石碳(DLC)。

PACVD 是 PECVD 吗?

是的,PACVD(等离子体辅助化学气相沉积)是 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)的另一种说法。这种工艺使用在电场中形成的高能等离子体来激活化学气相沉积反应,其温度低于热化学气相沉积,因此非常适合热预算较低的基底或沉积薄膜。通过改变等离子体,可对沉积薄膜的特性进行额外控制。大多数 PECVD 过程都在低压下进行,以稳定放电等离子体。

什么是薄膜沉积设备?

薄膜沉积设备是指用于在基底材料上制作和沉积薄膜涂层的工具和方法。这些涂层可以由各种材料制成,具有不同的特性,可以改善或改变基底的性能。物理气相沉积(PVD)是一种常用的技术,它是在真空中蒸发固体材料,然后将其沉积到基底上。其他方法包括蒸发和溅射。薄膜沉积设备可用于生产光电设备、医疗植入物和精密光学仪器等。

有多少种不同类型的管式炉?

管式炉可以在不同的机械功能下顺利工作,因此有许多不同类型的管式炉变化用于不同的实验目的,典型的管式炉如下:

  • 卧式管式炉
  • 立式管式炉
  • 分体式管式炉
  • 旋转式管式炉
  • 倾斜式管式炉
  • 滑动式管式炉
  • 快速加热和冷却管式炉
  • 连续进料和出料管式炉

CVD 系统的优势是什么?

  • 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时,它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体,如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层,这是液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)等其他制膜方法所无法比拟的。
  • 工作条件在常压或低真空条件下进行,因此涂层衍射效果好,形状复杂的工件也能得到均匀的涂层,这一点比 PVD 优越得多。
  • 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散,可获得附着力良好的涂层,这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
  • 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
  • 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点,在低温生长条件下,反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应,因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
  • 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比,化学气相沉积(CVD)是在高饱和度下进行的,成核率高,成核密度大,且在整个平面上分布均匀,因此能获得宏观光滑的表面。
  • 低辐射损伤,这是制造金属氧化物半导体(MOS)和其他器件的必要条件

使用化学气相沉积设备有哪些优势?

化学气相沉积机在薄膜沉积方面具有多种优势。它们可以精确控制薄膜的特性,如厚度、成分和均匀性。化学气相沉积法可以在大面积和复杂形状上沉积薄膜,因此适用于广泛的应用领域。该技术可沉积多种材料,包括金属、半导体、陶瓷和有机化合物。CVD 薄膜与基底表面具有极佳的附着力、纯度和保形性。此外,化学气相沉积设备可在相对较低的温度下运行,从而减少基底上的热应力,并实现对温度敏感材料的沉积。

PECVD 有哪些优势?

PECVD 的主要优点是能够在较低的沉积温度下运行,在不平整的表面上提供更好的一致性和阶跃覆盖率,更严格地控制薄膜工艺,以及较高的沉积速率。在传统的 CVD 温度可能会损坏涂覆设备或基底的情况下,PECVD 却能成功应用。通过在较低温度下工作,PECVD 在薄膜层之间产生的应力较小,可实现高效的电气性能和高标准的接合。

使用 PACVD 有哪些优势?

PACVD 在薄膜涂层应用中具有多项优势。首先,与其他沉积方法相比,使用等离子体可降低工艺温度,从而减少对基底的热应力。PACVD 还能精确控制涂层成分和结构,实现量身定制的薄膜特性。等离子体增强了前驱气体的反应性,从而提高了薄膜质量、密度和附着力。此外,PACVD 还可用于在复杂形状和易碎材料上沉积涂层,使其成为各行各业的通用技术。

什么是薄膜沉积技术?

薄膜沉积技术是将厚度从几纳米到 100 微米不等的极薄材料薄膜沉积到基底表面或先前沉积的涂层上的过程。这种技术用于现代电子产品的生产,包括半导体、光学设备、太阳能电池板、CD 和磁盘驱动器。薄膜沉积分为化学沉积和物理气相沉积两大类,前者是通过化学变化产生化学沉积涂层,后者是通过机械、机电或热力学过程将材料从源释放并沉积到基底上。

使用管式炉有哪些优势?

管式炉在高温应用中具有多种优势。首先,管式炉可提供精确、均匀的温度控制,从而实现精确、可重复的加热过程。这对于温度一致性至关重要的材料研究和热处理应用来说至关重要。其次,管式炉设计紧凑,适合在有限的实验室或工业空间内使用。管式炉还具有多功能性,可容纳各种尺寸和形状的样品。此外,管式炉还具有良好的隔热性能,可以快速达到高温,因此非常节能。有些型号还提供可编程温度曲线,可实现自动加热和冷却循环。总之,管式炉可以在各种科学和工业领域实现高效、可控的高温工艺。

PECVD 代表什么?

等离子体化学气相沉积(PECVD)是利用等离子体激活反应气体,促进基片表面或近表面空间发生化学反应,生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是,在射频或直流电场的作用下,源气体电离形成等离子体,以低温等离子体为能源,引入适量的反应气体,利用等离子体放电激活反应气体,实现化学气相沉积。

根据等离子体的产生方式,可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......

PECVD 是什么意思?

化学气相沉积设备有哪些应用?

化学气相沉积设备可应用于各个行业和研究领域。在半导体行业,化学气相沉积用于沉积集成电路薄膜,如二氧化硅和氮化硅。化学气相沉积还用于生产薄膜太阳能电池,沉积碲化镉或铜铟镓硒等材料。其他应用包括沉积保护涂层,如类金刚石碳膜、耐磨涂层和抗反射涂层。化学气相沉积还可用于生产光学镀膜,如用于镜子、滤波器和波导的薄膜。

ALD 和 PECVD 的区别是什么?

ALD 是一种薄膜沉积工艺,可实现原子层厚度分辨率、高纵横比表面的出色均匀性和无针孔层。这是通过在自限制反应中连续形成原子层来实现的。另一方面,PECVD 将源材料与一种或多种挥发性前驱体混合,使用等离子体对源材料进行化学作用和分解。这种工艺使用热量和较高的压力,可产生重现性更高的薄膜,薄膜厚度可通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高,密度更大,能够生长出更高质量的绝缘体薄膜。

PACVD 的常见应用有哪些?

PACVD 在汽车、航空航天、电子和生物医学等行业有着广泛的应用。它通常用于在切削工具、发动机部件和汽车零件上沉积耐磨和装饰涂层。PACVD 还可用于生产电子设备上的阻隔涂层,以增强耐腐蚀性并提高性能。在生物医学领域,PACVD 涂层被应用于医疗植入物,以提高生物相容性并减少磨损。此外,PACVD 还用于光学行业,在镜片和显示器上沉积抗反射和抗划伤涂层。

使用薄膜沉积设备有哪些优势?

薄膜沉积设备在各行业和研究领域具有多种优势。它可以精确控制薄膜的特性,如厚度、成分和结构,从而生产出具有特定功能的定制材料。薄膜可在大面积、复杂形状和不同基底材料上沉积。沉积过程可以优化,以实现薄膜的高度均匀性、附着力和纯度。此外,薄膜沉积设备可在相对较低的温度下运行,从而减少基底上的热应力,并可在对温度敏感的材料上进行沉积。薄膜可应用于电子、光学、能源、涂层和生物医学设备等领域,提供更高的性能、保护或功能。

使用管式炉时应采取哪些安全预防措施?

使用管式炉时,必须遵守安全预防措施,以防止事故发生并确保操作人员和样品的安全。首先,应对操作人员进行适当的培训,确保他们了解管式炉的操作、安全功能和应急程序。其次,应佩戴适当的个人防护设备(PPE),如耐热手套、护目镜和白大褂,以防止烫伤和潜在危险。第三,在炉内正确装载样品或材料至关重要,应确保其位置稳固且不会阻碍气流。应提供充足的通风,以排除加热过程中可能产生的任何气体或烟雾。此外,定期检查和维护炉子也很重要,包括检查加热元件和电气连接,以确保运行安全可靠。

CVD 和 PECVD 的区别是什么?

PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子,可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能,从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K,电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组,从而生成更多的活性化学基团,而整个反应体系则保持较低的温度。

因此,与 CVD 工艺相比,PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。

选择化学气相沉积设备时应考虑哪些因素?

选择化学气相沉积设备时应考虑几个因素。所需的薄膜特性,如成分、厚度和均匀性,应与机器的能力相匹配。沉积室的大小应符合所需的基底尺寸和形状。设备的温度和压力范围应符合特定的沉积要求。同样重要的是要考虑所需材料沉积的前驱气体的可用性和兼容性。其他考虑因素包括操作简便性、维护要求以及自动化程度或控制能力。此外,咨询专家或制造商可为选择最适合特定应用的 CVD 机器提供宝贵的指导。

PECVD 和溅射有什么区别?

PECVD 和溅射都是用于薄膜沉积的物理气相沉积技术。PECVD 是一种扩散气体驱动工艺,可生成非常高质量的薄膜,而溅射则是一种视线沉积。PECVD 能更好地覆盖凹凸不平的表面,如沟槽、墙壁和高保形度表面,并能生产出独特的化合物和薄膜。另一方面,溅射有利于沉积多种材料的精细层,是制造多层和多级涂层系统的理想选择。PECVD 主要用于半导体工业、摩擦学、光学和生物医学领域,而溅射主要用于电介质材料和摩擦学应用。

选择 PACVD 系统时应考虑哪些因素?

在选择 PACVD 系统时,应考虑几个因素。首先,系统应具有合适的腔室尺寸和配置,以适应所需的基底尺寸和生产要求。等离子源(如射频发生器)应能产生并维持稳定的等离子体。系统还应对气体流速、压力和温度等工艺参数进行精确控制,以达到所需的薄膜特性。重要的是要考虑系统与所需涂层材料的兼容性以及前驱气体的可用性。此外,系统还应具备足够的安全功能,并便于操作和维护。咨询该领域的制造商和专家有助于选择最适合特定涂层需求的 PACVD 系统。

选择薄膜沉积设备时应考虑哪些因素?

选择薄膜沉积设备时应考虑几个因素。技术(PVD、CVD、ALD、MBE)应与所需的薄膜特性和沉积的特定材料相匹配。沉积室的尺寸和配置应符合基底的尺寸和形状要求。设备在薄膜厚度控制、均匀性和沉积速率方面的能力应满足应用需求。考虑因素还应包括所需薄膜成分的前驱体材料或目标源的可用性和兼容性。其他需要考虑的因素还包括操作简便性、维护要求、真空系统可靠性以及任何附加功能,如现场监测或控制选项。咨询专家或制造商可为选择最适合特定应用的薄膜沉积设备提供有价值的指导。

化学气相沉积机能否用于多层薄膜沉积?

是的,化学气相沉积设备可用于多层薄膜沉积。通过控制沉积参数和依次引入不同的前驱气体,可以在基底上沉积多层不同的材料。这样就能制造出具有定制特性和功能的复杂薄膜结构。可以精确控制每层的沉积顺序、温度、压力和气体流速,以获得所需的薄膜成分和厚度。多层薄膜可应用于微电子学、光电子学和表面工程等多个领域,其中不同的层具有特定的功能或增强了材料系统的整体性能。

操作薄膜沉积设备有哪些安全注意事项?

操作薄膜沉积设备需要考虑一定的安全因素,以确保操作人员的安全并防止潜在的危险。有些沉积技术需要使用高温、真空环境或有毒气体。应制定适当的安全规程,包括对操作员进行适当培训、使用个人防护设备 (PPE),以及遵守设备制造商和监管机构提供的安全指南。应安装适当的通风系统,以处理沉积过程中产生的任何有害气体或副产品。应安装紧急关闭系统、警报器和联锁装置,以处理突发事件或设备故障。还应进行维护和定期检查,以确保设备的安全和功能。制定完善的安全规程并遵循建议的操作方法对最大限度地降低与薄膜沉积设备操作相关的风险至关重要。
查看更多该产品的问题与解答

4.8

out of

5

I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.

Arnie Halvorsen

4.7

out of

5

The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.

Olav Rønning

4.9

out of

5

The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.

Ramiro Amezcua

4.6

out of

5

The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.

Søren Nystrøm

4.8

out of

5

The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.

Jón Halldórsson

4.7

out of

5

The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.

Atli Valdimarsson

4.9

out of

5

The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.

Stefan Erfurth

4.6

out of

5

The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.

Helga Rönningsdóttir

4.8

out of

5

The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.

Hermann Lindström

4.7

out of

5

The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.

Jósef Ðurčík

4.9

out of

5

The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.

Jón Þorleifsson

4.6

out of

5

The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.

Milena Schäfer

4.8

out of

5

The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.

Hrafnhildur Björnsdóttir

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1200℃ 带石英管的分体式管式炉

1200℃ 带石英管的分体式管式炉

KT-TF12 分管炉:高纯度绝缘,嵌入式加热线盘,最高温度可达 1200℃。1200C.广泛用于新材料和化学气相沉积。

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