CVD 和 PECVD 炉
倾斜旋转式等离子体增强化学沉积（PECVD）管式炉设备
货号 : KT-PE16
价格根据 规格和定制情况变动
- 最高温度
- 1600 ℃
- 恒定工作温度
- 1550 ℃
- 炉管直径
- 60 毫米
- 加热区长度
- 2x300 毫米
- 加热速率
- 0-10 ℃/min
运输:
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应用
KT-PE16 倾斜旋转式 PECVD 炉 PECVD 炉由一个 500W 射频等离子源、一个双区 TF-1200 管式炉、4 个 MFC 气体精确控制单元和一个标准真空站组成。炉子的最高工作温度可达 1600℃。工作温度高达 1600℃，炉管为直径 60mm 的 Al2O2 陶瓷管；4 通道 MFC 质量流量计，气源为 CH4、H2、O2 和 N2；真空站为 1 台 4L/S 旋片真空泵，最大真空压力为 10P。真空压力可达 10Pa
优点
- 射频等离子体自动匹配源，5-500W 宽输出功率范围，输出稳定
- 高速加热和短时间冷却的炉腔滑动系统，可辅助快速冷却和自动滑动运动
- PID 可编程温度控制，控制精度高，支持远程控制和集中控制
- 高精度 MFC 质量流量计控制，源气预混，供气速度稳定
- 不锈钢真空法兰，多种适配接口，满足不同真空泵站设置，密封性好，真空度高
- CTF Pro 采用一个 7 英寸 TFT 触摸屏控制器，程序设置和历史数据分析更友好
安全优势
- Kindle Tech 管式炉具有过流保护和过温报警功能，炉子会自动关闭电源
- 炉子内置热耦合检测功能，一旦检测到破损或故障，炉子将停止加热并报警
- PE Pro 支持断电重启功能，故障后接通电源时，炉子将恢复加热程序
技术规格
| 炉子型号 | PE-1600-60 |
| 最高温度 | 1600℃ |
| 恒定工作温度 | 1550℃ |
| 炉管材料 | 高纯度 Al2O3 管 |
| 炉管直径 | 60 毫米 |
| 加热区长度 | 2x300 毫米 |
| 炉膛材料 | 日本氧化铝纤维 |
| 加热元件 | 二硅化钼 |
| 加热速率 | 0-10℃/min |
| 热耦合 | B 型 |
| 温度控制器 | 数字 PID 控制器/触摸屏 PID 控制器 |
| 温度控制精确度 | ±1℃ |
| 射频等离子装置 | |
| 输出功率 | 5 -500W 可调，稳定性 ± 1% |
| 射频频率 | 13.56 MHz ±0.005% 稳定度 |
| 反射功率 | 最大 350W |
| 匹配 | 自动 |
| 噪音 | <50 分贝 |
| 冷却 | 空气冷却 |
| 气体精确控制装置 | |
| 流量计 | MFC 质量流量计 |
| 气体通道 | 4 个通道 |
| 流量 | MFC1: 0-5SCCM O2 mfc2: 0-20scmch4 mfc3: 0- 100sccm h2 mfc4: 0-500 sccm n2 |
| 线性度 | ±0.5% F.S. |
| 重复性 | ±0.2% F.S. |
| 管路和阀门 | 不锈钢 |
| 最大工作压力 | 0.45 兆帕 |
| 流量计控制器 | 数字旋钮控制器/触摸屏控制器 |
| 标准真空装置（可选） | |
| 真空泵 | 旋片式真空泵 |
| 泵流量 | 4 升/秒 |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空规 | 皮拉尼/电阻硅真空计 |
| 额定真空压力 | 10Pa |
| 高真空单元（可选） | |
| 真空泵 | 旋片泵+分子泵 |
| 泵流量 | 4L/S+110L/S |
| 真空吸入口 | KF25 |
| 真空规 | 复合真空计 |
| 额定真空压力 | 6x10-5Pa |
| 以上规格和设置可定制 | |
标准包装
| 编号 | 说明 | 数量 |
| 1 | 熔炉 | 1 |
| 2 | 石英管 | 1 |
| 3 | 真空法兰 | 2 |
| 4 | 导管隔热块 | 2 |
| 5 | 导管隔热块挂钩 | 1 |
| 6 | 耐热手套 | 1 |
| 7 | 射频等离子源 | 1 |
| 8 | 精确气体控制 | 1 |
| 9 | 真空装置 | 1 |
| 10 | 操作手册 | 1 |
可选设置
- 管内气体检测和监控，如 H2、O2 等
- 独立炉温监控和记录
- RS 485 通信端口，用于 PC 远程控制和数据输出
- 插入式气体进料流量控制，如质量流量计和浮子流量计
- 触摸屏温度控制器，具有方便操作的多种功能
- 高真空泵站设置，如叶片真空泵、分子泵和扩散泵
警告
操作员安全是最重要的问题！ 请小心操作设备。 使用易燃易爆或有毒气体是非常危险的，操作人员在启动设备之前必须采取所有必要的预防措施。 反应器或室内正压工作是危险的，操作人员必须严格遵守安全规程。 使用空气反应材料时，尤其是在真空下，也必须格外小心。 泄漏会将空气吸入设备并导致发生剧烈反应。
为您而设计
KinTek为全球客户提供深度定制服务和设备，我们专业的团队和经验丰富的工程师有能力承担定制硬件和软件设备的需求，并帮助我们的客户 打造专属个性化设备和解决方案！
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FAQ
什么是物理气相沉积（PVD）？
什么是 PECVD 方法？
用于沉积薄膜的方法有哪些？
什么是 Mpcvd？
什么是磁控溅射？
CVD 的基本原理是什么？
PECVD 有哪些用途？
什么是薄膜沉积设备？
什么是 MPCVD 设备？
为什么选择磁控溅射？
有哪些不同类型的 CVD 方法？
PECVD 有哪些优势？
什么是薄膜沉积技术？
Mpcvd 有哪些优势？
用于薄膜沉积的材料有哪些？
薄膜沉积通常使用金属、氧化物和化合物作为材料，每种材料都有其独特的优缺点。金属因其耐用性和易于沉积而受到青睐，但价格相对昂贵。氧化物非常耐用，可耐高温，并可在低温下沉积，但可能比较脆，难以操作。化合物具有强度和耐久性，可在低温下沉积，并可定制以显示特定性能。
薄膜涂层材料的选择取决于应用要求。金属是热传导和电传导的理想材料，而氧化物则能有效提供保护。可根据具体需求定制化合物。最终，特定项目的最佳材料将取决于应用的具体需求。
使用化学气相沉积设备有哪些优势？
ALD 和 PECVD 的区别是什么？
使用薄膜沉积设备有哪些优势？
CVD 钻石是真的还是假的？
实现最佳薄膜沉积的方法有哪些？
要获得具有理想特性的薄膜，高质量的溅射靶材和蒸发材料至关重要。
溅射靶材或蒸发材料的纯度起着至关重要的作用，因为杂质会导致生成的薄膜出现缺陷。晶粒大小也会影响薄膜的质量，晶粒越大，薄膜的性能越差。
要获得最高质量的溅射靶材和蒸发材料，选择纯度高、晶粒度小、表面光滑的材料至关重要。
薄膜沉积的用途
氧化锌薄膜
氧化锌薄膜可应用于热学、光学、磁学和电气等多个行业，但其主要用途是涂层和半导体器件。
磁性薄膜
磁性薄膜是电子、数据存储、射频识别、微波设备、显示器、电路板和光电子技术的关键元件。
光学薄膜
光学镀膜和光电子技术是光学薄膜的标准应用。分子束外延可以生产光电薄膜设备（半导体），外延薄膜是一个原子一个原子地沉积到基底上的。
聚合物薄膜
聚合物薄膜可用于存储芯片、太阳能电池和电子设备。化学沉积技术（CVD）可精确控制聚合物薄膜涂层，包括一致性和涂层厚度。
薄膜电池
薄膜电池为植入式医疗设备等电子设备提供动力，由于薄膜的使用，锂离子电池的发展突飞猛进。
薄膜涂层
薄膜涂层可增强各行业和技术领域目标材料的化学和机械特性。
薄膜太阳能电池
薄膜太阳能电池对于太阳能产业至关重要，它可以生产相对廉价的清洁电力。光伏系统和热能是两种主要的适用技术。
化学气相沉积设备有哪些应用？
PECVD 和溅射有什么区别？
选择薄膜沉积设备时应考虑哪些因素？
影响薄膜沉积的因素和参数
沉积速率：
薄膜的生成速率（通常以厚度除以时间来衡量）对于选择适合应用的技术至关重要。对于薄膜而言，适度的沉积速率就足够了，而对于厚膜而言，快速沉积速率则是必要的。在速度和精确薄膜厚度控制之间取得平衡非常重要。
均匀性：
薄膜在基底上的一致性称为均匀性，通常指薄膜厚度，但也可能与折射率等其他属性有关。
填充能力：
填充能力或台阶覆盖率是指沉积工艺对基底形貌的覆盖程度。所使用的沉积方法（如 CVD、PVD、IBD 或 ALD）对台阶覆盖率和填充有重大影响。
薄膜特性：
薄膜的特性取决于应用要求，可分为光子、光学、电子、机械或化学要求。大多数薄膜必须满足一个以上类别的要求。
制程温度：
薄膜特性受制程温度的影响很大，这可能受到应用的限制。
损坏：
每种沉积技术都有可能损坏沉积在其上的材料，而较小的特征更容易受到制程损坏。污染、紫外线辐射和离子轰击都是潜在的损坏源。了解材料和工具的局限性至关重要。
选择化学气相沉积设备时应考虑哪些因素？
操作薄膜沉积设备有哪些安全注意事项？
化学气相沉积机能否用于多层薄膜沉积？
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I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.
4.7
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The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.
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The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.
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The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.
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The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.
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The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.
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The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.
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The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.
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The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.
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The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.
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The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.
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The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.
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The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.
