化学气相沉积（CVD）是一种多功能技术，用于沉积各种材料，包括金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、金刚石和聚合物。这些材料具有多种功能用途，如电子、光学、机械和环境应用。沉积工艺可分为热化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积和超高真空化学气相沉积，每种工艺都设计在特定条件下运行，以优化不同材料的沉积。
金属和半导体：
CVD 广泛用于沉积镍、钨、铬和碳化钛等金属，这些金属对提高耐腐蚀性和耐磨性至关重要。半导体，包括元素半导体和化合物半导体，也常用 CVD 工艺沉积，尤其是用于制造电子设备。挥发性金属有机化合物的开发扩大了这些工艺的适用前驱体范围，特别是在 MOCVD（金属有机 CVD）中，这对于沉积外延半导体薄膜至关重要。氧化物、氮化物和碳化物：
由于这些材料具有独特的性质，因此可利用 CVD 沉积这些材料，用于各种应用。例如，Al2O3 和 Cr2O3 等氧化物具有热绝缘和电绝缘特性，而氮化物和碳化物则具有硬度和耐磨性。CVD 工艺可精确控制这些材料的沉积，确保薄膜的高质量。
金刚石和聚合物：
CVD 还可用于沉积金刚石薄膜，其卓越的硬度和导热性使其价值不菲。通过 CVD 沉积的聚合物可用于生物医学设备植入物、电路板和耐用润滑涂层等应用。该工艺可根据应用要求生产出不同微观结构的材料，包括单晶、多晶和无定形材料。
沉积技术和条件：
