为什么氮化硼 (BN) 或氧化铝坩埚更适合钠助熔 GaN 生长？优化您的晶体产量

氮化硼 (BN) 和氧化铝是钠助熔生长氮化镓的首选坩埚材料，因为它们结合了优异的热稳定性和化学惰性。具体来说，它们能够承受所需的 800-900°C 工作温度，同时抵抗熔融钠和镓混合物的强腐蚀性。

核心要点 钠助熔生长的成功取决于控制晶体的形成位置。BN 和氧化铝至关重要，因为它们低润湿性和高纯度可防止熔体与容器壁发生反应，从而抑制不需要的杂散晶体（寄生成核），并确保生长完全集中在籽晶上。

反应环境的挑战

承受热应力

钠助熔法在显著的温度下运行，通常在 800-900°C 之间。反应容器必须在此温度范围内保持结构完整性，而不会软化或变形。

抵抗化学侵蚀

熔融的钠和镓具有化学侵蚀性。选择 BN 和氧化铝是因为它们能抵抗该混合物的化学侵蚀。与其他潜在材料不同，它们在接触这些腐蚀性助熔剂时不会降解或溶解。

控制晶体成核

低润湿性的作用

该过程中的一个关键因素是低润湿性。熔融混合物不易在 BN 或氧化铝表面铺展或粘附。

抑制寄生成核

由于熔体不会“润湿”坩埚壁，因此在容器表面形成的晶体数量最少。抑制寄生成核至关重要。这可以防止随机晶体在壁上生长，否则这些晶体将与目标籽晶争夺资源。

将生长集中在籽晶上

通过消除坩埚壁的竞争，系统确保过饱和的养分仅用于大尺寸籽晶的生长。这使得过程更有效，最终晶体更大。

确保材料纯度

防止污染

高质量的半导体生长需要无污染的环境。BN 和氧化铝坩埚有高纯度等级可供选择。

消除杂质

由于这些材料能抵抗化学侵蚀，因此它们不会将物质浸出到熔体中。这可以防止引入杂质，从而可能降低氮化镓晶体的电子或光学性能。

不当材料选择的风险

润湿性的代价

如果坩埚材料具有高润湿性，熔体会粘附在壁上。这几乎可以肯定会在容器表面形成多晶，从而降低单晶的产量。

化学不稳定性

使用无法承受腐蚀性钠助熔剂的材料会导致容器失效或熔体污染。即使坩埚发生轻微降解，也会引入外来原子，从而破坏这些晶体所需的高质量特性。

为您的目标做出正确选择

为了最大限度地提高钠助熔生长过程的有效性，请考虑以下重点：

• 如果您的主要重点是晶体质量：选择高纯度 BN 或氧化铝，以消除化学浸出并防止杂质引入熔体。
• 如果您的主要重点是产量和尺寸：依靠这些材料的低润湿性来抑制寄生成核，迫使所有生长都集中在您的大籽晶上。

坩埚的选择不仅仅是关于容纳；它是一种控制晶体纯度和成核动力学的积极机制。

总结表：

特性	氮化硼 (BN)	氧化铝 (Al₂O₃)	对钠助熔生长的影响
温度限制	高达 900°C+ (惰性)	高达 1700°C	在 800-900°C 生长范围内保持完整性
润湿性	非常低	低	抑制壁上的寄生成核
耐化学性	优异 (熔融 Na/Ga)	高 (耐腐蚀)	防止熔体污染和浸出
纯度等级	提供超高纯度	高	确保 GaN 的高电子/光学质量

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参考文献

1. Nathan Stoddard, Siddha Pimputkar. Prospective view of nitride material synthesis. DOI: 10.1002/ces2.10184

本文还参考了以下技术资料 Kintek Solution 知识库 .