如何提高我的溅射速率？通过这些关键技术提高沉积速度

要提高您的溅射速率，您必须增加轰击靶材的离子数量和能量。最直接的方法是增加溅射功率和使用磁控管系统，该系统利用磁场捕获电子，在靶材附近产生更致密的等离子体。优化溅射气体类型和压力也是提高沉积速度的关键因素。

核心原理很简单：溅射是一个动量传递过程。更高的溅射速率是增加撞击靶材的高能离子通量的直接结果，这反过来会溅射出更多的原子。所有提高速率的方法最终都是为了实现这一目标。

更快速溅射的物理学原理

溅射是通过将气体离子（如氩气，Ar+）加速到材料靶材上来实现的。当这些离子与靶材碰撞时，它们会物理地撞出或“溅射”出表面的原子。这些被溅射出的原子随后会传输并沉积到您的基板上形成薄膜。

等离子体是离子的来源。更致密的等离子体包含每单位体积内更多的离子。

更高的等离子体密度直接转化为到达靶材表面的离子通量更高，这意味着每秒发生更多的单个碰撞事件和溅射出更多的原子。

撞击离子的能量决定了每次撞击溅射出的原子数量，这个因素被称为溅射产额。

更高能量的离子在碰撞时传递更多的动量，从而导致更高的溅射产额。这种能量主要由施加在靶材（阴极）上的电压控制。

您有几个可以控制的变量来影响等离子体密度和离子能量。

这是最直接的方法。增加输送到阴极的功率（瓦数）有两个主要影响：

这是显著提高速率最有效的方法。磁控溅射是高沉积速率的行业标准。

在靶材后方设置一个磁场，以捕获从靶材表面发射的二次电子。这些电子被迫在靶材附近进行长而螺旋的路径运动，极大地增加了它们与中性气体原子碰撞并使其电离的机会。

这个过程直接在靶材前形成一个非常致密的等离子体，导致离子轰击急剧增加，溅射速率比非磁控系统高出几个数量级。

压力与溅射速率之间的关系不是线性的；存在一个最佳范围。

您必须为您特定的腔室几何结构和材料找到“最佳点”，在该点上等离子体密度很高，但平均自由程仍然足够长以实现高效的能量传递。

溅射气体离子的质量对动量传递有显著影响。

与氩气 (Ar) 相比，氪气 (Kr) 或氙气 (Xe) 等较重的惰性气体在溅射方面更有效，因为它们的质量更大，可以更有效地传递动量，就像用保龄球而不是棒球撞击保龄球瓶一样。尽管成本更高，但这些气体可以显著提高速率。

仅仅最大化速率可能会引入新的问题。成功的工艺需要在速度和质量之间取得平衡。

更高的功率和离子通量会在靶材中产生大量热量。如果没有足够的冷却，靶材可能会破裂、熔化或与其背板脱粘。这种热量也可能辐射到基板，可能损坏基板或改变薄膜的性能。

非常高的沉积速率并不总是能产生最好的薄膜。它有时会导致内部应力增加、表面粗糙度增加或薄膜微结构密度降低。最佳速率通常取决于您应用所需的薄膜特性。

当使用反应性气体（如 O₂ 或 N₂）沉积化合物（氧化物、氮化物）时，过程会发生变化。如果反应性气体的流量相对于金属溅射速率过高，靶材表面本身就会被化合物覆盖。

这被称为靶材毒化。由于陶瓷和化合物的溅射产额通常远低于纯金属，这种效应会导致沉积速率急剧下降。

您的策略应以您的最终目标为指导。

通过了解这些基本因素，您可以系统地调整您的工艺，以实现沉积速度和薄膜质量在您的特定应用中的最佳平衡。