氧化铟锡（ITO）的沉积方法包括脉冲激光沉积法（PLD）、电镀法和溅射法。每种方法都有其特定的条件和优势。
脉冲激光沉积 (PLD)：
PLD 是一种多功能方法，可在室温到 400°C 的温度范围内沉积 ITO 薄膜，因此适用于各种基底，包括塑料、玻璃和其他材料。沉积在氧气环境中进行，压力为 5-50 mTorr。通常使用的激光能量密度在 0.75-1.5 J/cm² 之间。这种方法不需要额外的热处理，对于不能承受高温的基材尤其有利，因为它可以保持基材的形状和特性。电镀：
电镀是最古老的薄膜沉积方法之一。在这一工艺中，基底浸泡在含有溶解金属原子的化学槽中。施加电流，使金属原子沉积到基底上。这种方法已被广泛用于各种应用，包括沉积具有高导电性和光学透明度的 ITO。电镀法可在相对较低的温度下沉积 ITO，因此适用于各种基底，尤其是玻璃。
溅射：
溅射是指使用 ITO 溅射靶，这是一种黑灰色陶瓷半导体，由氧化铟和氧化锡粉末按特定比例混合而成。用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子喷射出来并沉积到基底上。这种方法以能够生产高质量、均匀的薄膜而著称，在电子工业中被广泛用于需要精确控制 ITO 沉积的应用领域。
