薄膜沉积是制造微型/纳米设备的关键过程。
它涉及几个关键步骤，对制造高质量薄膜至关重要。
该过程首先从源生成微粒，然后将微粒输送到基底，最后将微粒凝结在基底表面。
这一过程可分为化学和物理方法，例如化学气相沉积 (CVD)、等离子体增强 CVD (PECVD)、原子层沉积 (ALD) 以及溅射和热蒸发等物理气相沉积技术。
薄膜沉积的 3 个关键步骤是什么？
1.生成沉积物质
薄膜沉积的第一步是生成沉积物质。
这涉及到源材料，源材料可以被加热（用于热蒸发）或施加高压（用于溅射），使其发射粒子。
在化学方法中，使用前驱体在基底上发生反应形成薄膜。
2.粒子的传输
一旦粒子从源发射出来，就必须将它们传送到基底上。
这一过程在受控环境（通常是真空室）中进行，以确保粒子以定向和不受干扰的方式移动。
真空室内的条件，如压力和温度，会对沉积过程产生重大影响。
3.在基底上凝结
最后一步是颗粒在基底上凝结。
颗粒到达基底后，要么立即反射回来，要么在短时间后蒸发掉，要么凝结成薄膜。
这一步骤的效率取决于粘滞系数，即凝结颗粒与撞击颗粒总数的比率。
活化能、结合能和粘附系数等因素在这一过程中起着至关重要的作用。
这些步骤是薄膜沉积的基础，并根据应用的具体要求（如所需的材料特性、薄膜厚度和基底特性）进行定制。
沉积技术（化学或物理）和这些类别中的具体方法（如 CVD、溅射）的选择取决于薄膜的最终用途，无论是用于电子、光学还是其他专业应用。
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