用于溅射的真空系统是溅射镀膜系统的重要组成部分。该系统用于在微电路或其他基底上沉积导电材料薄膜。真空系统可确保工艺在受控环境中进行，并将污染物的干扰降至最低。
真空系统由一个真空室组成，真空室被抽真空到一个基本压力，以去除任何残留的气体分子，如 H2O、空气、H2 和 Ar。基础压力通常在高真空范围内，约为 10-6 毫巴或更高，以确保表面清洁并避免污染。
一旦腔室被抽空，高纯度惰性工艺气体（通常为氩气）就会被引入腔室。这种气体作为溅射气体，在溅射过程中起着至关重要的作用。等离子体中的高能分子碰撞产生的气体离子是溅射薄膜沉积的主要驱动力。溅射沉积过程中的压力通常在 mTorr 范围内，从 10-3 到大约 10-2 毫巴不等。
溅射过程本身包括向目标涂层材料施加直流电流，目标涂层材料是电子进入系统的阴极或负偏置点。待镀膜的基底也被赋予正电荷，成为阳极。直流电流通常在 -2 至 -5 千伏之间。
溅射靶（用作涂层的材料）被放置在与基底平行的真空室中。当具有高动能的溅射粒子撞击靶材表面时，靶材中的原子被 "踢 "出来，飞向基底，在基底上形成一层薄膜。来自靶材的粒子均匀而快速地覆盖基底。由于溅射粒子的温度较低，即使是塑料等热敏性基底也能镀上陶瓷或金属。
在某些情况下，如果基底非常敏感，真空室可以在一定程度上充入惰性气体。这样可以控制来自靶材的粒子的动能，因为粒子在沉积到基底上之前可能会发生碰撞并失去部分速度。
总之，溅射过程中的真空系统对于创造受控环境和确保在基底上沉积清洁、均匀和高质量的薄膜至关重要。
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