半导体制造中的沉积是一种在基底（通常是硅晶片）上涂敷薄膜层以赋予特定电气特性的工艺。
这一过程对于制造半导体器件所需的复杂结构至关重要。
沉积技术可大致分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD），每种技术都有其独特的机制和应用。
化学气相沉积 (CVD)：精密技术
化学气相沉积技术因其高精度和制造复杂薄膜的能力而被广泛应用于半导体行业。
在化学气相沉积过程中，气态前驱体在高温反应腔内发生化学反应，从而在基底上形成固态涂层。
这种工艺对于制造厚度精确、均匀的薄膜层尤为有效。
等离子体增强型 CVD（PECVD）是利用等离子体增强化学反应的一种变体，可以降低沉积温度，更好地控制薄膜特性。
PECVD 是将硅烷和氨等前驱气体引入装有电极的腔室中，产生等离子体，促进薄膜在基底上的沉积。
物理气相沉积（PVD）：高纯度涂层
物理气相沉积是另一种用于沉积薄膜的方法，它通过物理方式将材料从源转移到基底上。
物理气相沉积技术包括溅射、热蒸发和电子束蒸发，这些技术对生产高纯度涂层非常有效。
PVD 通常用于需要特定材料特性（如导电性或反射性）的场合。
应用和重要性：半导体器件中的重要涂层
沉积工艺对于在半导体器件中形成电介质（绝缘）和金属（导电）材料层至关重要。
这些层对于设备的功能至关重要，它们在不同元件之间提供绝缘，并为电信号提供导电通道。
电化学沉积 (ECD) 等技术用于创建铜互连，而原子层沉积 (ALD) 等更精确的方法则用于沉积原子级控制的超薄层。
总结：半导体技术的基础工艺
总之，半导体制造中的沉积是一项基本工艺，包括在基底上策略性地应用薄膜层，以实现所需的电气性能。
在 CVD 和 PVD 以及这两类技术中的特定技术之间做出选择，取决于所制造半导体器件的要求。
这些工艺是半导体技术进步不可或缺的一部分，可制造出日益复杂和高效的电子设备。
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