射频溅射的偏压是指在射频溅射过程中施加的交变电动势，它对于管理靶材上的电荷积聚和确保原子的高效溅射至关重要。在射频溅射过程中，偏压通过无线电频率（通常为 13.56 MHz）进行动态调整，以防止电荷在靶材上积累，从而导致电弧和其他沉积薄膜的质量控制问题。
详细说明：
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射频偏压机制：
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在射频溅射中，偏压是以正负循环交替的方式施加的。在正循环期间，电子被吸引到阴极，从而产生负偏压。这有助于通过电离腔室中的气体并形成等离子体来启动溅射过程。在负循环中，离子轰击仍在继续，但系统会防止阴极上产生恒定的负电压，以避免离子堆积，尤其是对绝缘靶而言。射频偏压的重要性：
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射频偏压的动态调整对于溅射绝缘体或导电率低的材料至关重要。在直流溅射中，由于电流无法通过这些材料，靶材上的电荷积聚会导致溅射过程停止。射频溅射通过使用快速改变阳极-阴极偏置的交流电来克服这一问题。这种波动可确保具有不同迁移率的离子和电子在每个半周期内覆盖不同的距离，从而有效管理靶材上的电荷分布。
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技术规格和效果：
射频溅射系统的源频率为 13.56 MHz，峰-峰电压为 1000 V。这种设置可使电子密度达到 10^9 到 10^11 cm^-3，腔室压力为 0.5 到 10 mTorr。高电压和高频率是实现与直流系统相同的溅射沉积速率所必需的，直流系统通常需要 2,000 至 5,000 伏特的电压。射频系统的高功率输入用于产生无线电波，从气体原子的外壳中去除电子，从而促进溅射过程，而不会在靶材上造成电荷堆积。
挑战与解决方案：
