了解平衡磁控管和非平衡磁控管之间的区别对于优化溅射工艺和获得理想的薄膜特性至关重要。
平衡磁控管和非平衡磁控管的 4 个主要区别
1.磁场配置
平衡磁控管： 磁场在靶周围对称分布。
非平衡磁控管： 磁场在一侧较强，通常是外侧。
2.对溅射过程的影响
平衡磁控管： 产生稳定的等离子体放电，将电子和离子限制在靶表面附近。
不平衡磁控管： 导致磁场线进一步延伸至真空室，增加基片附近的等离子体密度。
3.靶腐蚀和沉积率
平衡磁控管： 在靶上形成均匀的侵蚀模式和一致的沉积率。
不平衡磁控管： 可提高基片上的离子通量和能量，增强离子轰击并改善薄膜性能。
4.适用于不同应用
平衡磁控管： 适用于均匀的薄膜沉积。
非平衡磁控管： 是复杂几何形状和大型系统的理想选择，可在更大的靶到基底距离上保持较高的沉积率和薄膜质量。
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