说到溅射技术，最常见的两种方法是直流溅射和射频溅射。
这两种方法在电源及其对溅射过程的影响方面有很大不同，特别是在处理绝缘材料和腔体内的操作压力时。
直流溅射和射频溅射的 4 个主要区别
1.电源和电荷积累
直流溅射：
- 使用直流（DC）电源。
- 会在靶材上造成电荷积聚，尤其是在使用绝缘材料时。
- 这种堆积会影响离子流向靶材，从而中断溅射过程。
射频溅射：
- 使用交流电源。
- 通过在交流电的正半周中和正离子，防止目标上的电荷积聚。
- 这使得射频溅射对绝缘材料特别有效。
2.操作压力
直流溅射：
- 通常需要较高的腔室压力，约 100 mTorr。
- 可能导致等离子体粒子与目标材料之间发生更多碰撞。
- 这会影响溅射薄膜的效率和质量。
射频溅射：
- 工作压力低得多，通常低于 15 mTorr。
- 减少碰撞次数。
- 为溅射粒子到达基底提供了更直接的途径，从而增强了沉积过程。
3.电源要求
直流溅射：
- 一般需要 2,000 至 5,000 伏特电压。
- 足以实现电子对气体等离子体原子的直接轰击。
射频溅射：
- 需要更高的功率，通常高达 1012 伏。
- 使用无线电波给气体原子通电。
- 要从气体原子的外壳中去除电子，就必须使用更高的功率。
4.常见问题
直流溅射：
- 主要问题是目标上的电荷积聚，尤其是绝缘材料。
射频溅射：
- 过热是一个常见问题，这是因为需要更高的功率，以及使用无线电波电离气体的高能耗过程。
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