等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种低温真空薄膜沉积工艺。
它利用等离子体来增强化学反应。
这使得薄膜的沉积温度低于传统的化学气相沉积 (CVD) 工艺。
PECVD 尤其适用于半导体工业中热敏基底的涂层。
PECVD 如何工作？7 个要点说明
1.PECVD 工艺的原理
PECVD 工艺涉及将前驱气体引入沉积室。
传统的 CVD 依赖热量来驱动化学反应，而 PECVD 则不同，它使用放电来产生等离子体。
该等离子体可提供解离前驱体气体所需的能量，形成反应物，在基底上沉积薄膜。
2.等离子体的产生
等离子体是通过在腔室的两个电极之间施加射频（RF）或直流（DC）放电产生的。
这种放电使等离子气体电离，将其转化为等离子状态。
等离子体由反应基、离子、中性原子和分子组成，它们通过气相中的碰撞而形成。
这一过程可使基底保持在相对较低的温度下，通常在 200-500°C 之间。
3.运行条件
PECVD 系统在低压下运行，通常在 0.1-10 托之间。
这种低压可最大限度地减少散射，促进薄膜的均匀沉积。
低工作温度不仅能最大限度地减少对基底的损坏，还能扩大可沉积材料的范围。
4.PECVD 系统的组件
典型的 PECVD 系统包括一个真空室、一个气体输送系统、一个等离子体发生器和一个基底支架。
气体输送系统将前驱气体引入真空室，通过等离子体的激活在基底上形成薄膜。
等离子体发生器使用射频电源在工艺气体中产生辉光放电，然后激活前驱气体，促进化学反应，最终形成薄膜。
5.优势和应用
PECVD 能够在低温下沉积功能薄膜，这对半导体元件和其他先进技术的制造至关重要。
它可以精确控制沉积薄膜的厚度、化学成分和特性，使其成为现代制造业的重要工艺。
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