知识 物理气相沉积和化学气相沉积有什么区别?4 个主要区别
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更新于 2个月前

物理气相沉积和化学气相沉积有什么区别?4 个主要区别

在基底上沉积薄膜时,通常使用两种主要方法:物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。

物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD) 的 4 个主要区别

物理气相沉积和化学气相沉积有什么区别?4 个主要区别

1.沉积方法

物理气相沉积(PVD):

物理气相沉积使用物理方法将材料沉积到基底上。

化学气相沉积(CVD):

化学气相沉积涉及反应气体与基底表面之间的化学反应,以沉积材料。

2.工艺细节

物理气相沉积(PVD):

在 PVD 过程中,材料在基底上从凝结相(固态或液态)转变为气态,然后又回到凝结相。此过程不涉及任何化学反应。

化学气相沉积(CVD):

化学气相沉积是将反应气体引入一个腔室,在基底表面发生化学反应,形成固态薄膜。

3.常见方法

物理气相沉积(PVD):

常见的 PVD 方法包括蒸发沉积和溅射沉积。在蒸发沉积法中,材料被加热直至汽化,然后凝结在基底上。在溅射沉积法中,由于轰击粒子的动量传递,原子从目标材料中喷射出来,然后沉积在基底上。

化学气相沉积(CVD):

化学气相沉积包括多种类型,如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。这些方法用于沉积二氧化硅和氮化硅等电介质。

4.应用和环境影响

物理气相沉积(PVD):

PVD 通常用于沉积金属。不过,利用电子束蒸发等技术,它也可以沉积氧化物和半导体,常用于抗反射涂层。PVD 被认为更环保,因为它不涉及新物质的生产或旧材料的消耗,减少了化学污染的可能性。

化学气相沉积(CVD):

CVD 广泛应用于半导体行业,用于沉积需要精确控制化学成分和性质的材料薄膜。

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