要引发溅射，轰击离子的动能必须远高于正常的[热能]。虽然剥离单个原子所需的基本能量通常为 10-40 电子伏特 (eV)，但整个系统需要更高的输入来产生和加速这些离子，例如 3-5 千伏 (kV) 的直流电压或大约 14 MHz 的射频 (RF) 电压。
溅射的“能量”不是一个单一值，而是一个两部分的过程。首先，高电压或射频电源用于从氩气等气体中产生等离子体。然后，电场将等离子体中的离子加速，赋予它们物理上将靶材原子喷射出去所需的高动能。
原子“喷砂”的物理学
溅射本质上是一个物理动量传递过程，通常比作原子尺度的台球游戏。目标是赋予离子足够的动能，使其能够将固体材料（称为“靶材”）中的原子撞击松动。
溅射阈值
要发生溅射，入射离子必须具有足够的能量来克服将靶材原子束缚在一起的力。这个最小能量被称为溅射阈值能量。
根据离子和靶材的不同，该阈值通常在 10 到 40 eV 的范围内。低于此能量，离子只会反弹或将其能量以热量的形式传递。
产生和加速离子
您不能简单地将 40 eV 的离子注入腔室。相反，您必须在原位从惰性气体（最常见的是氩气 (Ar)）中产生它们。
施加高电压（在直流溅射中）或强射频场（在射频溅射中）。这种能量会使氩原子去电子化，产生一种发光的电离气体，称为等离子体，它是正氩离子 (Ar+) 和自由电子的混合物。
高压力的作用
一旦形成等离子体，就会对靶材施加一个强负电压。在直流溅射中，这通常是 3,000 到 5,000 伏特 (3-5 kV)。
由于异性相吸，等离子体中的正氩离子会穿过这个电场被强力加速，并撞击带负电荷的靶材。这就是它们获得动能的方式——远远超过基本溅射阈值——从而有效地喷射出靶材原子。
理解能量的权衡
使用的能量量不是任意的；它是直接影响结果的一个关键工艺参数。选择正确的能量水平需要平衡相互竞争的因素。
能量太低的后果
如果轰击离子的能量低于溅射阈值，将不会发生溅射。该过程将失败，能量只会导致靶材发热。即使略高于阈值，溅射速率（随时间去除的材料量）也会慢到不切实际。
能量太高的后果
过高的离子能量可能适得其反。高能离子不会干净地喷射出靶材原子，而是可能被嵌入或注入到靶材深处。
这种“离子注入”有效地将轰击粒子埋藏起来，未能溅射出材料，反而改变了靶材本身的成分。它还可能对衬底上生长的薄膜的晶体结构造成损害。
直流与射频能量输送
能量输送的方法取决于靶材的电学特性。
- 直流 (DC) 溅射：使用恒定的高负电压。这很简单有效，但仅适用于导电靶材。
- 射频 (RF) 溅射：使用振荡电场（例如 13.56 MHz）。这对绝缘或电介质靶材至关重要，因为它防止靶材表面积聚正电荷，否则正电荷会排斥轰击离子。
应用于您的目标
您选择的能量参数应直接与您试图创建的特定薄膜相关联。
- 如果您的主要重点是高沉积速率：使用较高的离子能量和电流以最大限度地提高溅射产率，但要保持在显著离子注入点以下。
- 如果您的主要重点是薄膜质量和密度：中等能量水平通常是最佳的，因为它能提供良好的溅射速率，同时不会对生长的薄膜造成过度损伤或气体掺杂。
- 如果您正在溅射电绝缘体（如 SiO₂）：您必须使用射频电源，因为直流电压将无效。
最终，控制溅射能量就是精确管理离子的动量，以一次一个原子地构建您所需的材料。
总结表：
| 溅射能量参数 | 典型值/范围 | 目的 |
|---|---|---|
| 溅射阈值 | 10 - 40 eV | 剥离靶材原子的最小能量 |
| 直流溅射电压 | 3,000 - 5,000 V (3-5 kV) | 加速导电靶材的离子 |
| 射频溅射频率 | ~13.56 MHz | 溅射绝缘/电介质材料 |
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