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化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）的主要区别在于沉积方法和所涉及反应的性质。化学气相沉积涉及基底表面的化学反应，以沉积薄膜，而物理气相沉积涉及物理过程，以沉积没有化学反应的材料。
CVD 工艺：
在 CVD 过程中，一种或多种挥发性前体与基底一起被引入反应室。这些前驱体在基底表面发生反应或分解，形成一层薄涂层。该工艺之所以被命名为化学气相沉积，是因为基底表面发生了实际的化学反应。这种方法通常用于沉积厚度在几纳米到几微米之间的薄膜。CVD 不适合沉积较厚的薄膜或创建三维结构。此外，某些 CVD 工艺使用有害气体和化学品，对工人的健康和安全构成威胁。PVD 工艺：
相比之下，PVD 不涉及化学反应。相反，它是一种物理过程，材料在真空或低压环境中气化，然后沉积到基底上。PVD 方法有多种类型，都涉及干涂层技术。PVD 中没有化学反应，因此被称为物理气相沉积。PVD 方法也可用于沉积薄膜，但在沉积机制和应用条件方面与 CVD 有所不同。
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