离子溅射的过程是怎样的？薄膜沉积指南

从本质上讲，离子溅射是一种物理沉积过程，其中高能离子轰击靶材，物理地将靶材表面的原子撞击下来。这些被激发的原子随后穿过真空并沉积到基板上，形成一层极其均匀的薄膜。可以将其视为一种原子尺度的喷砂操作。

溅射的核心原理是动量传递。通过将惰性气体的离子加速到源材料（靶材）上，一系列原子碰撞会激发单个原子被溅射出来，然后这些原子会在附近的物体（基板）上形成一层高质量的薄膜。

核心原理：碰撞级联

要理解溅射，首先必须掌握高能粒子撞击固体表面时发生的物理现象。整个过程在受控的真空环境中进行编排。

该过程首先将惰性气体（通常是氩气）引入真空室。施加电场，将气体原子剥离电子，使其转变为带正电的离子。

这些离子成为溅射过程中的抛射物。

带正电的离子在电场的作用下被加速，射向带有负电荷的源材料，即靶材。

当离子以足够的能量撞击靶材时，会引发碰撞级联。离子将其动量传递给它撞击的原子，这些原子又撞击其他原子，在靶材表面下方形成一个连锁反应。

如果靠近表面的原子获得了克服其原子键合力所需的足够能量，它就会从靶材上物理地被激发或“溅射”出来。

整个过程必须在真空中进行，原因有两个关键。首先，它能防止被溅射的原子在到达基板的途中与空气分子发生碰撞。其次，它能防止污染和不必要的化学反应，确保沉积薄膜的纯度。

虽然碰撞原理是相同的，但产生和引导离子的方法通常属于以下两种主要配置之一。

这是最常见的配置。靶材本身在低压惰性气体中用作阴极（负电极）。

施加高电压，使气体被点燃，形成辉光放电或等离子体。这种等离子体是正离子和自由电子的“发光汤”。

等离子体中的正离子自然会被带负电的靶材吸引。它们加速，以高速撞击靶材，引发溅射过程。

在这种更精确的方法中，离子在完全独立于靶材的单独离子源或“枪”中产生。

这种离子枪会产生一束高度聚焦、准直且单能的离子束，这意味着它们的能量和方向几乎都相同。然后将这束离子束瞄准靶材。

由于离子能量和方向受到严格控制，IBS 能产生质量最高、密度最大、均匀性最好的薄膜。

溅射是一种强大的技术，但并非没有复杂性。了解其局限性是取得成功成果的关键。

再溅射是指已沉积的材料从基板表面重新发射出来。当来自等离子体的高能离子或中性原子轰击新形成的薄膜时，可能会发生这种情况，导致其部分原子脱落。

这种现象会负面影响薄膜的纯度和沉积速率，需要仔细控制压力和电压等工艺参数。

过程速度与薄膜质量之间通常存在权衡。

基于等离子体的系统通常提供适合工业生产的更高沉积速率。然而，离子束溅射提供了对薄膜特性更大的控制，这对高性能光学或先进半导体等敏感应用至关重要。

选择合适的溅射技术完全取决于最终产品的要求。

最终，离子溅射是一种多功能且高度受控的方法，用于在原子级别上设计材料。