简介
真空钎焊炉是一种用于钎焊的工业炉，钎焊是一种金属加工工艺，使用熔化温度低于基体金属的填充金属将两块金属连接起来。真空钎焊炉通常用于要求连接牢固、清洁的高质量应用领域。
真空钎焊炉的工作原理是在炉腔内形成真空，从而去除氧气和其他可能干扰钎焊过程的气体。这就创造了一个洁净的环境，促进了牢固可靠的连接。真空钎焊炉还能达到非常高的温度，因此可以钎焊各种金属，包括不锈钢、钛和铝。
详细信息和部件
应用
真空钎焊炉因其能够制造坚固、防漏的接头而被广泛应用于各行各业。主要应用领域包括
- 加热和冷却组件
- 微通道热交换器
- 飞机部件
- 传感器
- 医疗设备
- 结构部件
- 其他热产品
特点
真空钎焊炉具有众多优点，可为客户提升功能和价值：
- 出色的温度均匀性： 真空钎焊炉的设计可确保整个炉腔内加热均匀，从而获得一致、精确的钎焊效果。
- 高效的加热系统： 钎焊炉采用高性能加热系统，可迅速达到并保持所需的温度，从而缩短周期时间并提高生产率。
- 先进的真空系统： 钎焊炉配备了先进的真空系统，可有效去除炉腔中的氧气和其他杂质，确保钎焊环境清洁可控。
- 用户友好界面： 钎焊炉采用直观易用的界面，简化了操作和监控，最大限度地减少了对大量培训的需求。
- 结构坚固： 钎焊炉由耐用材料和部件制成，可确保在苛刻的实验室环境中保持长久的使用寿命和可靠性。
原理
真空钎焊炉为卧式炉体，由炉壳、炉衬、加热元件、炉槽、料盘、真空系统和电子控制系统组成。炉壳由碳素钢板和型钢焊接而成。内衬为优质保温砖和耐火砖，分三区建造。加热元件由铁铬铝丝制成，呈螺旋状排列在炉子两侧和底部的丝砖上。真空系统采用三级真空泵，由真空机组、油扩散泵、罗茨泵、机械泵、气动挡板阀和手动蝶阀组成。
优点
- 高质量接头，空隙极小，机械性能极佳
- 无需助焊剂，消除了潜在的污染和钎焊后的清洗
- 减少氧化和结垢，使接头更清洁
- 精确的温度控制，可连接不同熔点的材料
- 适用于连接复杂部件和组件
- 环保工艺，废物产生量极少
技术规格
| 额定功率 | 100 千瓦 |
| 额定温度 | 700 ℃ |
| 电源 | 380 伏，50 赫兹 |
| 工作区域尺寸 | Φ820×1700㎜ |
| 冷极限真空 | 6.67×10-3Pa |
| 压力上升率 | 2pa/h |
| 控温精度 | ±1℃ |
FAQ
真空炉有哪些用途？
什么是 CVD 炉？
化学气相沉积（CVD）是一种利用加热、等离子体激发或光辐射等各种能源，使气态或气态化学物质在气相或气固界面上发生化学反应，从而在反应器中形成固态沉积物的技术。简单地说，就是将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后相互反应形成新的材料，并沉积在基片表面。
CVD炉是由高温管式炉单元、气体控制单元和真空单元组成的组合炉系统，广泛应用于复合材料制备、微电子工艺、半导体光电、太阳能利用、光纤通信、超导技术、防护涂层等领域的实验和生产。
什么是牙科炉？
什么是实验室压力机？
真空钎焊有哪些优势？
哪些材料可以进行真空钎焊？
冷壁真空炉和热壁真空炉有什么区别？
真空炉的工艺流程是什么？
真空热压炉的用途是什么？
什么是真空电弧熔炼工艺？
真空感应熔炼炉如何工作？
CVD 炉是如何工作的？
CVD炉系统由高温管式炉单元、反应气源精确控制单元、真空泵站和相应的组装部件组成。
真空泵用于排除反应管内的空气，确保反应管内没有多余的气体，然后管式炉将反应管加热到目标温度，反应气源精确控制单元可将不同的气体以设定的比例引入炉管内进行化学反应，在CVD炉内形成化学气相沉积。
牙科炉有哪些不同类型？
实验室使用液压机的目的是什么？
真空炉中使用什么气体？
真空热压炉有哪些优点？
什么是真空电弧重熔 (VAR) 炉？
真空感应熔炼有哪些优势？
在 CVD 过程中使用哪种气体？
CVD过程中可以使用的气源非常多，常见的CVD化学反应包括热解、光解、还原、氧化、氧化还原，因此这些化学反应中涉及的气体都可以用于CVD过程。
我们以CVD石墨烯生长为例，CVD过程中使用的气体有CH4、H2、O2和N2。
牙科炉的温度是多少？
有哪些不同类型的实验室压力机？
真空炉中使用的加热元件是什么？
真空热压炉如何工作？
真空电弧熔炼炉如何工作？
真空对感应熔炼炉有何帮助？
CVD 系统的优势是什么？
- 可根据需要制备金属膜、非金属膜和多组分合金膜等多种薄膜。同时，它还能制备出其他方法难以获得的高质量晶体，如 GaN、BP 等。可同时沉积大量成分均匀的涂层，这是液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等其他制膜方法所无法比拟的。
- 工作条件在常压或低真空条件下进行，因此涂层衍射效果好，形状复杂的工件也能得到均匀的涂层，这一点比 PVD 优越得多。
- 由于反应气体、反应产物和基材之间的相互扩散，可获得附着力良好的涂层，这对于制备耐磨膜和防腐蚀膜等表面强化膜至关重要。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点。
- 有些薄膜的生长温度远低于薄膜材料的熔点，在低温生长条件下，反应气体和反应器壁及其所含杂质几乎不发生反应，因此可以获得纯度高、结晶度好的薄膜。
- 化学气相沉积可以获得光滑的沉积表面。这是因为与 LPE 相比，化学气相沉积（CVD）是在高饱和度下进行的，成核率高，成核密度大，且在整个平面上分布均匀，因此能获得宏观光滑的表面。
- 低辐射损伤，这是制造金属氧化物半导体（MOS）和其他器件的必要条件
烤瓷炉有什么用途？
真空热压炉的常见应用有哪些？
真空电弧熔炼炉有哪些应用？
什么是真空感应熔炼炉？
PECVD 代表什么？
等离子体化学气相沉积（PECVD）是利用等离子体激活反应气体，促进基片表面或近表面空间发生化学反应，生成固体薄膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是，在射频或直流电场的作用下，源气体电离形成等离子体，以低温等离子体为能源，引入适量的反应气体，利用等离子体放电激活反应气体，实现化学气相沉积。
根据等离子体的产生方式，可分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体 CVD 等......
PECVD 是什么意思？
选择真空热压炉时应考虑哪些因素？
使用真空电弧熔炼炉有哪些优势？
CVD 和 PECVD 的区别是什么？
PECVD与传统CVD技术的区别在于等离子体中含有大量高能电子，可以提供化学气相沉积过程中所需的活化能，从而改变了反应体系的供能方式。由于等离子体中的电子温度高达 10000K，电子与气体分子之间的碰撞可促进反应气体分子的化学键断裂和重组，从而生成更多的活性化学基团，而整个反应体系则保持较低的温度。
因此，与 CVD 工艺相比，PECVD 可以在较低的温度下进行相同的化学气相沉积过程。
使用真空电弧熔炼炉时应遵守哪些安全预防措施？
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