化学气相沉积（CVD）是一种用于生产高质量、高性能固体材料的工艺，通常用于半导体行业制造薄膜。该工艺将基底暴露于挥发性前驱体中，前驱体在基底表面发生反应和/或分解，形成所需的沉积物。副产品通常通过反应室中的气流去除。
详细说明：
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前驱体的引入和反应：
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在 CVD 工艺中，基底（通常是半导体应用中的晶片）被置于反应室中。挥发性前驱体（可以是气体或蒸汽）被引入反应室。这些前驱体通常根据所需的最终产品来选择，例如用于半导体薄膜的硅化合物或用于石墨烯的碳化合物。前驱体与加热的基底接触后发生反应和/或分解，形成所需材料的固态层。沉积物的形成：
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基底表面的反应导致材料沉积。这种反应是由加热基底和腔室所提供的能量驱动的，能量是打破前驱体中的化学键并开始形成新键从而形成固体沉积物所必需的。沉积物的厚度和均匀性取决于前驱体的温度、压力和流速等因素。
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去除副产品：
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在反应过程中，并非所有作为前驱体引入的材料都会融入沉积物中。有些会形成挥发性副产品。这些副产品必须从反应室中清除，以防止污染并保持沉积物的纯度。这可以通过使载气流经炉室来实现，载气会带走副产品和未反应的前驱体。工艺参数控制：
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CVD 工艺受到高度控制，温度、压力、气体流速和前驱体浓度等参数都得到精确管理。这些参数对于实现沉积材料所需的特性（如电气、机械和化学特性）至关重要。
应用和材料：
