CVD（化学气相沉积）反应器是用于在基底上沉积材料薄膜的精密设备。
该工艺涉及一系列与气态前驱体的化学反应。
这种方法被广泛应用于电子、涂料和钻石合成等多个行业。
5 个关键步骤说明
1.引入前体化学品
该工艺首先将挥发性前驱化学品引入 CVD 反应器。
这些前驱体通常是气体或蒸汽，含有所需薄膜所需的元素。
它们通常与惰性气体混合，以便于运输和控制反应环境。
2.运输到基底表面
前驱体分子进入反应器后，会被输送到基底表面。
这种传输是通过流体流动和扩散机制相结合的方式实现的。
基底通常会被加热到很高的温度，这有助于前驱体向表面移动。
3.反应和沉积
前驱体分子到达基底表面后会发生化学反应。
这些反应会分解前驱体分子，并将所需的原子或分子沉积到基底上，形成薄膜。
温度和压力等反应条件对沉积薄膜的质量和特性至关重要。
4.去除副产品
随着反应的进行，会产生副产品。
这些副产品必须从基底表面清除，以便继续沉积。
副产物从表面脱附，通常被排出系统，以保持气态过程的连续流动。
5.系统组件
典型的 CVD 系统包括几个关键部件：
- 用于加热基底的熔炉。
- 用于管理反应条件的控制系统。
- 真空泵系统，用于维持清洁和受控的环境。
- 用于去除有害副产品的洗涤系统。
- 管理气体温度的气体冷却系统。
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