CVD（化学气相沉积）反应器的工作原理是通过一系列涉及气态前驱体的化学反应将材料薄膜沉积到基底上。该过程有几个关键步骤：将前体化学品引入反应器、将这些分子传输到基底表面、薄膜的反应和沉积以及去除副产品。这种方法广泛应用于微细加工中各种材料的沉积，包括半导体、绝缘体和金属，对电子、涂层甚至金刚石合成等应用至关重要。
详细说明：
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引入前驱化学品： 该工艺首先将挥发性前驱化学品引入 CVD 反应器。这些前驱体通常是含有所需薄膜所需元素的气体或蒸汽。它们通常与惰性气体混合，以便于运输和控制反应环境。
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输送至基底表面： 前驱体分子进入反应器后，会被输送到基底表面。这种传输是通过流体流动和扩散机制相结合的方式实现的。基底通常会被加热到很高的温度，这有助于前驱体向表面移动。
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反应和沉积： 前驱体分子到达基底表面后会发生化学反应。这些反应会分解前驱体分子，并将所需的原子或分子沉积到基底上，形成薄膜。温度和压力等反应条件对沉积薄膜的质量和特性至关重要。
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去除副产品： 随着反应的进行，会产生副产品。这些副产品必须从基底表面清除，以便继续沉积。副产品从表面脱附，通常会从系统中排出，以保持气态过程的连续流动。
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系统组件： 典型的 CVD 系统包括几个关键组件：用于加热基底的熔炉、管理反应条件的控制系统、维持清洁和受控环境的真空泵系统、去除有害副产品的洗涤系统以及管理气体温度的气体冷却系统。
CVD 工艺用途广泛，可用于沉积各种具有特定性能的材料，因此在电子等行业中非常重要，可用于制造高性能薄膜和导电部件，在珠宝行业中也可用于生产人造钻石。精确控制沉积过程的能力可制造出均匀、高质量的薄膜，这对先进技术应用至关重要。
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