说到将材料沉积到基底上，原子层沉积 (ALD) 和化学气相沉积 (CVD) 是最突出的两种方法。
4 个主要区别说明
1.工艺机制
ALD： 在 ALD 中，过程是有序和自我限制的。这意味着两种或两种以上的前驱体气体交替进入反应室。每种前驱体都会与基底或之前沉积的层发生反应，形成化学吸附单层。一旦表面完全饱和，就会清除多余的前驱体和副产物，然后再引入下一种前驱体。如此循环往复，直到达到所需的薄膜厚度。这种方法非常适合制造具有多个原子层的薄膜，适用于需要非常薄的薄膜（10-50 纳米）或高纵横比结构的应用。
化学气相沉积法： CVD 是通过气态前驱体的反应在基底上沉积薄膜。前驱体通常是同时引入的，该过程通常需要高温来促进反应。这种方法更适合以较高的速度沉积较厚的薄膜，并且可以使用更广泛的前驱体，包括那些在沉积过程中分解的前驱体。
2.控制和精度
ALD： ALD 的连续性允许精确控制薄膜的厚度、成分和掺杂水平。这种精度对于制造特征尺寸越来越小、性能要求越来越高的先进 CMOS 器件至关重要。
CVD： 虽然 CVD 具有出色的均匀性，并广泛应用于 CMOS 技术，但它缺乏 ALD 的原子级控制。CVD 中前驱体的同时反应会导致薄膜沉积的不均匀性和不可控性，尤其是在复杂的几何形状或需要精确厚度控制时。
3.温度和反应条件
ALD： ALD 反应是在受控温度范围内进行的，这对于工艺的自限性至关重要。这种受控环境可确保每种前驱体只与可用的表面位点发生反应，防止过饱和并确保高一致性。
化学气相沉积： CVD 通常使用较高的温度使原子气化并引发化学反应。这种高温工艺会限制可使用的基底类型，并可能影响沉积薄膜的质量，尤其是在均匀性和一致性方面。
4.应用和适用性
ALD： ALD 的顺序式自限制工艺可对薄膜厚度和一致性进行出色的控制，因此非常适合要求精确性和一致性的应用，如先进的半导体制造。
CVD： CVD 更适合需要高沉积速率和更厚薄膜的应用，但对薄膜特性的控制较差。
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