溅射是物理气相沉积（PVD）的一种。
这一结论的依据是，溅射是一种涉及原子从冷凝源（目标）到基底的物理转移的过程，而不是像化学气相沉积（CVD）那样依赖气相中的化学反应。
5 个要点说明
1.物理气相沉积和溅射的解释
物理气相沉积（PVD）包括一系列通过在基底上沉积原子、离子或分子来制造薄膜的技术。
溅射是 PVD 的一种特殊方法，它是用高能粒子（通常是离子）轰击目标材料，使目标材料中的原子喷射出来，然后沉积到基底上。
该工艺不需要使用化学前驱体，因此有别于 CVD。
2.与 CVD 的比较
相比之下，化学气相沉积（CVD）需要使用挥发性前驱体，这些前驱体在受热或受压时会发生化学反应，从而在基底上沉积出薄膜。
CVD 工艺通常需要更高的温度，涉及更复杂的化学反应，可能包括使用有毒或有害物质。
3.溅射比 CVD 的优势
温度要求： 与 CVD 相比，溅射的工作温度通常较低，因此适用于无法承受高温的基底。
材料可用性： 溅射不需要专门的前驱体，因此可沉积的材料范围更广。
安全和环境问题： 包括溅射在内的 PVD 可避免处理和储存 CVD 中使用的危险前驱体所带来的一些安全问题。
4.结论
鉴于溅射过程的性质及其在 PVD 下的分类，溅射显然是一种 PVD 技术。
溅射所涉及的物理机制与 CVD 工艺所特有的化学反应形成了鲜明对比，从而为这一分类提供了支持。
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