退火是半导体制造过程中的一个重要工序，通过加热和冷却材料来改变其特性。退火技术有多种类型，每种技术都有其独特的应用和优点。
5 种关键方法说明
1.氮气退火
氮气退火包括将纯氮气通过装有半导体晶片的腔室。该工艺用于改变半导体材料的微观结构，从而改善其整体性能。
2.成型气体退火
成型气体退火与氮气退火类似，但使用的成型气体是氮气和氢气的混合物。这种方法也是为了改变半导体材料的微观结构并提高其性能。
3.快速热退火
快速热退火是将单个晶片短时间加热到高温。这种技术用于影响半导体材料的电气性能。
4.扩散退火
扩散退火是在极高温度下长时间进行的。它用于消除半导体材料中的结构不均匀性或浓度差异。这一过程可提高材料的强度和耐腐蚀性。
5.一般退火
一般退火是一种更广泛的工艺，用于消除内应力、增强均匀性和内部结构，以及提高延展性。它包括将材料加热到再结晶温度以上，在特定时间内保持适当温度，然后冷却。
退火技术的选择取决于半导体材料的类型和晶圆所需的性能。
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