磁控溅射是一种广泛应用的薄膜沉积技术，但它也有一些局限性。了解这些挑战有助于优化工艺，获得更好的效果。
磁控溅射有哪些局限性？(5 大挑战）
1.基片加热更高，结构缺陷增加
不平衡磁控溅射会导致基片温度升高，有时可高达 250 ̊C。
温度升高的原因是基片上的离子轰击增强。
这些离子的高能量会对基片造成破坏，导致结构缺陷增加。
这些缺陷会影响沉积薄膜的完整性和性能。
2.耗时的优化
磁控溅射工艺涉及许多控制参数。
这些参数会因使用平衡或不平衡磁控管而不同。
针对特定应用优化这些参数既复杂又耗时。
之所以复杂，是因为需要平衡沉积速率、薄膜质量和基底条件等因素。
3.目标利用率有限
磁控溅射中的环形磁场将次级电子限制在靶周围的圆形轨迹上。
这种限制导致特定区域的等离子体密度很高，在靶材上形成环形凹槽。
一旦凹槽穿透靶材，就会导致整个靶材无法使用。
这大大降低了靶的利用率，一般低于 40%。
4.等离子体不稳定性
等离子体不稳定性是磁控溅射工艺中的一个常见问题。
这种不稳定性会影响沉积薄膜的均匀性和质量。
它可能由多种因素引起，包括放电电流的波动、磁场的变化以及气体压力或成分的变化。
5.强磁材料的挑战
在低温条件下实现强磁材料的高速溅射具有挑战性。
来自靶材的磁通量不容易被外部磁场增强。
因此，溅射过程的效率受到限制。
在不提高工艺温度的情况下，很难实现高沉积率。
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