原子层沉积（ALD）是纳米技术中用于精确沉积超薄薄膜（通常只有几纳米厚）的一种复杂技术。这种方法的特点是高度均匀性、一致性和自限制性，可控制薄膜逐层生长。ALD 的操作方法是按顺序引入前驱气体并使其与基底表面发生反应，确保每一层都在下一层应用之前完成。该工艺在半导体工程、微机电系统（MEMS）、催化和微电子制造等多个领域都至关重要。
详细说明：
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ALD 的机理：
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ALD 涉及使用两种或两种以上的前驱体气体，每次将一种前驱体气体引入反应室。每种前驱体都会与基底表面发生反应，直到所有反应位点都被占据，反应自然停止。这种自限制特性确保了每一层都能均匀沉积，随后的每一层都要重复这一过程。前驱体是交替脉冲式的，不会同时出现在反应室中，这有助于保持薄膜的纯度和完整性。
- ALD 的优势：精度和控制：
- ALD 可对沉积薄膜的厚度进行精确到原子级的控制。这种精确度对于应用来说至关重要，因为即使是微小的厚度变化也会对性能产生重大影响。一致性：
- ALD 能够在复杂的几何形状和高纵横比结构上沉积均匀的薄膜，这使其在设备设计复杂的行业中具有极高的价值。多功能性：
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ALD 可用于各种基底和各种应用，从微电子到生物医学设备。ALD 的应用：
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ALD 广泛应用于半导体行业，尤其是高性能互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶体管的制造。它在磁记录头、MOSFET 栅极堆栈、DRAM 电容器和非易失性铁电存储器的生产中也至关重要。除电子器件外，ALD 还可用于改变生物医学设备的表面特性，增强其植入人体后的兼容性和功能性。
ALD 的演变与区别：
