化学气相沉积（CVD）是一种通过前驱气体在基底表面发生反应来合成涂层或纳米材料的方法。这种工艺广泛应用于半导体行业，用于沉积各种材料，如绝缘材料、金属材料和金属合金材料。CVD 工艺涉及使用一个加热的石英管，在该石英管中输入源气体并发生反应，从而在基底上形成薄膜沉积。该工艺通常在大气压或略低于大气压的条件下运行，流速处于层流状态，其特点是形成边界层，气体速度在基底处降至零。
详细说明：
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工艺概述：
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在 CVD 过程中，基底暴露在挥发性前驱体中，这些前驱体在基底表面发生反应和/或分解，生成所需的沉积物。这些前驱体通常是含有沉积所需元素的气体或蒸汽。反应不仅会在基底上形成所需的材料，还会产生挥发性副产品，这些副产品会被通过反应室的气流带走。操作条件：
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CVD 工艺在高温下进行，通常在 500°C 至 1100°C 之间。这种高温环境对化学反应的有效进行至关重要。系统在受控的大气条件下运行，通常需要一个真空泵系统来维持一个无氧的清洁环境并管理压力，特别是在低压 CVD 系统中。
- CVD 系统的组件：
- 典型的 CVD 系统包括几个关键部件：熔炉：
- 将基底加热到所需温度。控制系统：
- 管理温度、气体流速和其他参数。真空泵系统：
- 确保反应室无污染物，并保持所需的压力。洗涤系统：
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清除系统中的有害副产品和多余气体。气体冷却系统：
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在气体进入反应室之前对其进行冷却。沉积机制：
沉积材料（可根据应用而有所不同）与前驱物质（通常为卤化物或氢化物）结合，前驱物质将材料制备并输送至基底。这种组合进入真空室，沉积材料在基底上形成均匀的层，前驱体分解后通过扩散排出。
