说到薄膜沉积技术，通常会提到两种方法：ALD（原子层沉积）和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）。
这两种技术都广泛应用于微电子和太阳能电池生产等行业。
然而，ALD 和 PECVD 之间存在一些显著的差异，您应该有所了解。
ALD 和 PECVD 有什么区别？需要考虑的 4 个要点
1.化学和反应机制
ALD 包括两个步骤，即依次引入两种前驱体材料与基底表面发生反应。
反应具有自限性，这意味着每种前驱体都会以受控方式与基底表面发生反应，形成薄膜层。
这样就能精确控制薄膜的厚度和均匀性。
相比之下，PECVD 使用等离子体来增强前驱体气体与基底之间的化学反应。
等离子体提供能量，打破化学键，促进薄膜沉积。
与其他 CVD 技术相比，PECVD 可以在较低的温度下进行，因此适用于不能承受高温的基底。
2.沉积均匀性
ALD 是一种各向同性的工艺，这意味着基底的所有表面都能得到相同的涂层。
因此，它适合在复杂的几何形状上形成厚度均匀的薄膜。
另一方面，PECVD 是一种 "视线 "工艺，只有直接位于源路径上的表面才会被镀膜。
这可能导致非平面表面或等离子体阴影区域的薄膜厚度不均匀。
3.材料和应用
ALD 常用于沉积氧化物薄膜，如 HfO2、Al2O3 和 TiO2，用于 ISFET（离子敏感场效应晶体管）等应用。
它还用于制造微电子、磁记录头、MOSFET 栅极堆栈、DRAM 电容器和非易失性铁电存储器。
另一方面，PECVD 被广泛应用于太阳能电池和微电子的生产，它可以沉积各种材料，包括类金刚石碳（DLC）涂层。
4.温度和设备
ALD 通常在受控温度范围内进行。
PECVD 可在较低温度下进行，因此更适用于对温度敏感的基底。
用于 ALD 和 PECVD 的设备在设计和操作方面也可能有所不同，因为它们对前驱体输送、等离子体生成和基底处理的要求不同。
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