在基底上沉积薄膜时，有两种常见的方法，即 PVD（物理气相沉积）和 CVD（化学气相沉积）。
这两种方法的主要区别在于它们用于沉积这些薄膜的工艺。
PVD 使用物理力沉积薄膜层，而 CVD 则涉及化学反应。
CVD 和 PVD 的 4 个主要区别
1.工艺机制
PVD： 这种方法利用物理力将材料沉积到基底上。
它通常涉及溅射或热蒸发等工艺，在这些工艺中，固体颗粒被蒸发到等离子体中。
CVD： 这种方法涉及在基底表面发生化学反应以沉积材料。
源材料通常处于气态，沉积是多方向的。
2.沉积特征
PVD 沉积： 沉积是视线沉积，这意味着它的方向性更强，可能会导致不平整表面上的不均匀性。
CVD： 沉积具有扩散性和多方向性，即使在复杂或不平整的表面上也能实现更均匀的覆盖。
3.源材料
PVD： 通常使用液态源材料形成薄膜。
CVD： 使用气态源材料，通过化学反应沉积薄膜。
4.应用和适用性
根据纯度、速度和成本等具体要求，PVD 和 CVD 均可用于半导体和太阳能电池板等不同行业。
例如，由于 CVD 能够处理复杂的化学反应，因此它可能是形成石墨烯薄片的首选，而 PVD 则可能被用于将等离子体离子应用到金属涂层上，在这种情况下物理沉积就足够了。
正确性和澄清
参考文献提到 PVD 使用液态源材料，这并不完全准确。
PVD 实际上是将固体颗粒气化成等离子体，而不是使用液态源材料。
这一更正对于确保有关 PVD 过程的信息的准确性非常重要。
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