PVD（物理气相沉积）和 CVD（化学气相沉积）的主要区别在于它们在基底上沉积薄膜时所采用的工艺。PVD 使用物理力沉积薄膜层，而 CVD 涉及化学反应。
差异概述：
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工艺机制：
- PVD： 利用物理力将材料沉积到基底上。这通常涉及溅射或热蒸发等工艺，在这些工艺中，固体颗粒被蒸发到等离子体中。
- 化学气相沉积： 涉及在基底表面发生化学反应以沉积材料。源材料通常处于气态，沉积是多方向的。
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沉积特性：
- PVD： 沉积是视线沉积，这意味着它的方向性更强，可能导致不平整的表面出现不均匀现象。
- CVD： 沉积具有扩散性和多方向性，即使在复杂或不平整的表面上也能实现更均匀的覆盖。
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源材料：
- PVD 通常使用液态源材料形成薄膜。
- CVD： 使用气态源材料，通过化学反应沉积薄膜。
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应用和适用性：
- 根据纯度、速度和成本等具体要求，PVD 和 CVD 均可用于半导体和太阳能电池板等不同行业。例如，由于 CVD 能够处理复杂的化学反应，因此它可能是形成石墨烯薄片的首选，而 PVD 则可能被用于将等离子离子应用到金属涂层上，在这种情况下物理沉积就足够了。
正确性和澄清：
参考文献中提到 PVD 使用液态源材料，这不完全准确。PVD 实际上是将固体颗粒气化成等离子体，而不是使用液态源材料。这一更正对于确保有关 PVD 过程的信息的准确性非常重要。
总之，选择 PVD 还是 CVD 取决于具体的应用要求，包括化学反应的需要、沉积的均匀性和源材料的性质。每种方法都有自己的优缺点，因此适用于薄膜和涂层制造的不同情况。
