热蒸发与电子束蒸发的主要区别在于加热和汽化源材料的方法。在热蒸发中，电阻 "船 "通过高电流加热源材料。热量导致材料熔化和蒸发，然后凝结在基底上形成薄膜。另一方面，电子束蒸发利用一束高能电子直接加热和蒸发源材料。电子由钨丝产生并加速射向目标材料，使其蒸发并凝结在基底上。
热蒸发非常适合需要较低熔化温度的材料，包括金属和非金属，而电子束蒸发则可以处理温度较高的材料，如氧化物。与热蒸发相比，电子束蒸发的沉积率也更高。
另一个区别是所产生的薄膜涂层。热蒸发法产生的薄膜涂层密度较低，而电子束蒸发法可以达到较高的密度。这是因为加热机制不同，而且电子束蒸发能为蒸发材料提供更高的能量。
杂质的风险也有所不同。由于坩埚被加热，热蒸发产生杂质的风险更大，这可能导致蒸发材料受到污染。而电子束蒸发法由于电子束直接加热源材料，可以获得纯度更高的薄膜。
总之，热蒸发和电子束蒸发都是用于沉积薄膜的方法，但在加热机制和产生的薄膜特性上有所不同。热蒸发使用电流加热坩埚中的源材料，而电子束蒸发则使用高能电子束。热蒸发适用于温度较低的材料，而电子束蒸发可以处理温度较高的材料。与热蒸发相比，电子束蒸发具有更高的沉积率，能产生更致密的薄膜涂层，而且杂质风险更低。
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