说到薄膜沉积技术，人们通常会想到两种方法：原子层沉积 (ALD) 和化学气相沉积 (CVD)。
5 个主要区别说明
1.沉积过程
在 CVD 中，所有反应物同时进入反应室，以形成薄膜。
而 ALD 则使用两种前驱体材料，依次沉积在基底表面。
2.逐层沉积
ALD 是一种逐层沉积法。
每种前驱体在整个表面沉积后，下一种前驱体才会在上面分层。
这种顺序沉积法可以精确控制薄膜的厚度、密度和一致性。
3.薄膜厚度和应用
ALD 通常用于厚度范围为 10-50 纳米的薄膜和高纵横比结构。
它通常用于制造微电子、磁记录头、MOSFET 栅极堆栈、DRAM 电容器和非易失性铁电存储器。
CVD 通常用于制造单层薄膜，与 ALD 相比，它能以更高的沉积速率沉积更厚的薄膜。
CVD 方法通常需要高温来蒸发原子，沉积通常是各向同性的，在所有表面都有相同的涂层。
4.温度范围
ALD 在可控温度范围内进行。
CVD 通常需要较高的温度使原子气化。
5.精度和沉积速率
虽然 ALD 可提供精确控制，适用于薄膜和复杂结构，但它需要更多的监控和专业知识来执行。
CVD 的沉积速率更快，可用的前驱体范围更广，因为分解是一种有效的途径。
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