原子层沉积（ALD）是一种在基底上沉积薄膜的复杂方法。它包括一个使用气态前驱体的连续自限制过程。这种技术可精确控制薄膜厚度和均匀性，非常适合需要高质量、保形涂层的应用。
5 个步骤说明
1.前驱体曝光
在 ALD 的第一步，基底（通常放置在高真空室中）暴露在气态前驱体中。前驱体与基底表面发生化学键合，形成单层。这种结合是特定的，并使表面饱和，确保每次只形成单层。
2.清洗
单层形成后，利用高真空将未化学键合的剩余前驱体从腔体中清除。这一净化步骤对于防止不必要的反应和确保下一层的纯度至关重要。
3.反应物暴露
吹扫之后，第二种气态反应物被引入腔室。该反应物与第一种前驱体形成的单层发生化学反应，从而沉积出所需的材料。反应具有自限性，即只与可用的单层发生反应，从而确保对薄膜厚度的精确控制。
4.净化
反应结束后，副产物和任何未反应的材料都会被排出反应室。这一步骤对于保持薄膜的质量和完整性至关重要。
5.重复
前驱体曝光、吹扫、反应物曝光和吹扫的循环要重复多次，以形成所需的薄膜厚度。每个循环通常增加一层几埃的厚度，从而实现非常薄且可控的薄膜生长。
ALD 尤为重要的一点是，它能生产出具有极佳保形性和均匀性的薄膜，即使是复杂几何形状的薄膜也不例外。这使得它非常适合半导体行业中需要薄而高质量介电层的应用。该工艺的可重复性也很高，可确保多次沉积获得一致的结果。
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