ITO（氧化铟锡）PVD（物理气相沉积）工艺是在基底上沉积一层 ITO 薄膜。
这是通过一系列步骤完成的，包括气化、传输和冷凝。
用于 ITO PVD 的主要方法是溅射和蒸发，每种方法都有特定的子方法和优点。
工艺概述：
1.蒸发：
通常通过溅射或热蒸发将 ITO 材料转化为蒸汽。
2.传输：
蒸汽穿过低压区域，从源到基底。
3.冷凝：
蒸汽在基底上凝结，形成 ITO 薄膜。
详细说明：
1.蒸发方法：
溅射：
这种方法是在高真空环境中用高能粒子（通常是离子）轰击目标（通常是金属 ITO）。
撞击使原子从靶上脱落，然后流向基底。
溅射技术具有良好的附着力，能够沉积熔点较高的材料。
热蒸发：
在这种方法中，使用电阻热源或电子束将 ITO 材料加热到其汽化点。
汽化后的材料沉积到基底上。
热蒸发通常比溅射快，但附着力可能没有溅射强。
2.传输：
气化的 ITO 必须在受控环境下从源传输到基底，通常是在真空条件下。
这样可以确保与其他气体的相互作用最小化，并保持蒸气的纯度和完整性。
3.冷凝：
一旦 ITO 蒸汽到达基底，就会凝结成一层均匀的薄膜。
冷凝过程中的温度和压力等条件对最终薄膜的质量和性能至关重要。
审查和更正：
所提供的参考文献一致且详细，准确描述了通过溅射和蒸发方法进行 ITO PVD 的过程。
蒸发、传输和冷凝的步骤得到了很好的解释，每种方法的优点也得到了清晰的概述。
无需对事实进行修正。
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