ITO（氧化铟锡）PVD（物理气相沉积）工艺包括通过汽化、传输和冷凝等一系列步骤在基底上沉积一层 ITO 薄膜。用于 ITO PVD 的主要方法是溅射和蒸发，每种方法都有特定的子方法和优点。
工艺概述：
- 蒸发： 通常通过溅射或热蒸发将 ITO 材料转化为蒸汽。
- 传输： 蒸汽在低压区域内从源移动到基底。
- 冷凝： 蒸汽在基底上凝结，形成 ITO 薄膜。
详细说明：
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蒸发方法：
- 溅射： 这种方法是在高真空环境中用高能粒子（通常是离子）轰击目标（通常是金属 ITO）。撞击使原子从靶上脱落，然后飞向基底。溅射技术具有良好的附着力，能够沉积熔点较高的材料。
- 热蒸发： 在这种方法中，使用电阻热源或电子束将 ITO 材料加热到其汽化点。汽化后的材料沉积到基底上。热蒸发通常比溅射快，但附着力可能没有溅射强。
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传输：
- 气化的 ITO 必须在受控环境下从源传输到基底，通常是在真空条件下。这可确保与其他气体的相互作用最小化，并保持蒸气的纯度和完整性。
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冷凝：
- 一旦 ITO 蒸汽到达基底，就会凝结成一层均匀的薄膜。冷凝过程中的温度和压力等条件对最终薄膜的质量和性能至关重要。
审查和更正：
所提供的参考文献一致且详细，准确描述了通过溅射和蒸发方法进行 ITO PVD 的过程。蒸发、传输和冷凝的步骤得到了很好的解释，每种方法的优点也得到了清晰的概述。无需对事实进行修正。
