直流磁控溅射是将一种材料的薄膜沉积到另一种材料上的方法。
该工艺首先将作为涂层的目标材料置于真空室中。
真空室平行于需要镀膜的基底。
然后对真空室进行抽真空，以去除 H2O、Air、H2 和 Ar 等气体。
抽真空后，真空室将回充高纯度惰性气体，通常是氩气。
之所以选择氩气，是因为氩气的质量大，在等离子体中发生高能分子碰撞时能够传递动能。
直流电流（通常在 -2 至 -5 千伏之间）被施加到作为阴极的目标材料上。
这种负偏压从等离子体中吸引带正电的离子。
与此同时，基底上也会带上正电荷，使其成为阳极。
这种设置产生的电场会加速等离子体，提供足够的力量轰击阴极。
这种轰击使目标材料中的原子喷射出来，并在基片表面凝结成薄膜。
磁控溅射与二极管溅射等其他溅射方法的主要区别在于靶区附近存在一个强磁场。
这种磁场使电子沿着目标附近的磁通线螺旋上升。
这种设置可将等离子体限制在目标附近，防止对基底上正在形成的薄膜造成损坏。
这种布置方式允许更高的沉积率，尤其适用于沉积铁、铜和镍等纯金属。
总之，直流磁控溅射是一种多功能、高效的薄膜沉积方法，易于控制，运行成本低，尤其适用于大型基片。
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