直流溅射是一种物理气相沉积（PVD）技术，用于在基底上沉积材料薄膜。该工艺包括在一个腔体内形成真空，引入氩气等气体，并对目标材料施加直流电压。该电压使气体电离，形成等离子体，用离子轰击目标材料。这些离子的撞击导致目标材料中的原子被喷射或 "溅射 "到等离子体中。然后，这些原子穿过真空，沉积到基底上，形成薄膜。
创造真空：
直流溅射的第一步是在工艺室内形成真空。这一点至关重要，原因有几个。首先，它可以延长粒子的平均自由路径，即粒子与另一粒子碰撞前的平均移动距离。在低压环境中，粒子可以在不发生碰撞的情况下移动更长的距离，从而使目标材料更均匀、更平滑地沉积到基底上。形成等离子体：
建立真空后，将气体（通常是氩气）引入腔室。然后在靶材（阴极）和基底或腔壁（阳极）之间施加直流电压。该电压使氩气电离，产生由氩离子和电子组成的等离子体。
轰击和溅射：
等离子体中的氩离子在电场的作用下加速冲向带负电的目标。当这些离子与目标碰撞时，它们将动能传递给目标原子，导致其中一些原子从表面射出。这一过程称为溅射。沉积到基底上：
溅射的原子穿过真空，沉积到基底上。由于真空导致平均自由路径较长，原子可以直接从靶到基底，而不会产生明显的散射，从而形成高质量的均匀薄膜。
