溅射工艺虽然用途广泛，但也存在一些影响其效率和适用性的局限性。这些局限性包括难以结合升华法来构建薄膜，逐层生长的主动控制面临挑战，以及在薄膜中加入惰性气体作为杂质。此外，磁控溅射等特定变体还面临靶材利用率低、等离子体不稳定以及在低温下溅射强磁性材料的限制等问题。
难以结合 "掀起 "技术来构建薄膜：
溅射涉及扩散传输过程，这意味着原子不会精确地定向到基底。这一特性使得完全遮挡或限制原子沉积位置具有挑战性，从而导致潜在的污染问题。无法精确控制沉积位置使溅射与升离过程的整合变得复杂，而升离过程对于微电子和其他精密应用中的薄膜结构至关重要。逐层生长的主动控制所面临的挑战：
与脉冲激光沉积等其他沉积技术相比，溅射在实现对逐层生长的主动控制方面存在局限性。这在需要精确控制薄膜厚度和成分的应用中尤为重要。缺乏精确控制会导致薄膜特性不一致，从而影响材料的整体性能。
加入惰性气体作为杂质：
在溅射过程中，工艺中使用的惰性气体可能会作为杂质滞留或积聚在生长的薄膜中。这些杂质会降低沉积薄膜的质量和性能，尤其是在纯度要求很高的应用中，如半导体制造。磁控溅射的具体限制：
磁控溅射是一种常用的变体，但也有其自身的缺点。这种技术使用的环形磁场将等离子体限制在特定区域，导致靶材磨损不均匀，利用率低，通常低于 40%。这导致了大量的材料浪费和成本增加。此外，由于外部磁场的限制，该技术在低温条件下实现强磁材料的高速溅射方面也面临挑战。
