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原子层沉积 (ALD) 的一个例子是使用三甲基铝 (TMA) 和水蒸气 (H2O) 在基底上生长氧化铝 (Al2O3)。这一过程涉及气相前驱体和活性表面物质之间连续的、自限制的化学反应，从而确保薄膜在原子层尺度上均匀一致地生长。

详细说明：

1. 前驱体引入和表面反应：

2. 在典型的 ALD 循环中，第一种前驱体--三甲基铝 (TMA) 被脉冲引入基底所在的反应室。TMA 分子与基底表面的活性位点发生反应，形成单层铝原子。这种反应具有自我限制性；一旦所有活性位点都被占据，就不会再发生反应，从而确保形成精确、均匀的层。清洗步骤：

3. 在 TMA 脉冲之后，会有一个清洗步骤，以清除反应室中多余的 TMA 和副产品。这一步骤对于防止不必要的反应以及保持生长薄膜的纯度和完整性至关重要。

4. 引入第二种前体：

5. 然后将第二种前驱体--水蒸气 (H2O) 引入腔室。水分子与之前形成的铝单层发生反应，氧化铝形成氧化铝 (Al2O3)。这一反应也具有自我限制性，确保只有暴露在外的铝才会被氧化。第二个清洗步骤：

与第一次吹扫类似，该步骤将未反应的水蒸气和反应副产物从反应室中清除，为下一个循环做好准备。