直流（DC）磁控溅射是一种物理气相沉积（PVD）技术，它利用直流电源在低压气体环境中产生等离子体。该等离子体用于轰击目标材料，使原子喷射出来，然后沉积到基底上。该工艺的特点是沉积速率高、易于控制、运行成本低，因此适合大规模应用。
详细说明：
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工作原理：
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在直流磁控溅射中，使用直流电源在目标材料附近产生等离子体，目标材料通常由金属或陶瓷制成。等离子体由电离气体分子（通常为氩气）组成，在电场的作用下，这些分子被加速冲向带负电的靶材。当这些离子与靶材碰撞时，它们会将原子从表面移除，这一过程被称为溅射。磁场增强：
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靶周围的磁铁组件产生的磁场会增强溅射过程。该磁场可限制电子，增加等离子体密度，从而提高溅射率。磁约束还有助于将溅射材料更均匀地沉积到基底上。
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沉积率和效率：
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溅射过程的效率与产生的离子数量成正比，而离子数量的增加又会提高原子从靶材中喷射出来的速度。这将导致更快的沉积速率，并将薄膜中形成的薄膜量降至最低。等离子体与基底之间的距离也有助于最大限度地减少杂散电子和氩离子造成的损害。应用和优势：
直流磁控溅射通常用于沉积铁、铜和镍等纯金属薄膜。它因沉积率高、易于控制和操作成本低而受到青睐，尤其是在处理大型基底时。该技术具有可扩展性，并以生产高质量薄膜而著称，因此适用于各种工业应用。
