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LPCVD 是低压化学气相沉积的缩写。它是半导体行业在基底上沉积各种材料薄膜的一种技术。该工艺涉及在低压（通常低于 133 Pa）和高热环境下使用活性气体。由于反应腔内的气体扩散系数和平均自由范围增大，这种方法可实现出色的薄膜均匀性、电阻率均匀性和沟槽覆盖填充能力。LPCVD 广泛用于沉积多晶硅、氮化硅和二氧化硅等材料，与热生长薄膜相比，它能生产出缺陷更少、阶跃覆盖率更高的薄膜，因而备受青睐。该工艺的另一个显著特点是温度控制精确，这使得沉积薄膜在不同晶片和运行过程中具有高度的一致性。
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