磁控溅射等离子体是在磁控溅射中产生的一种等离子体，是一种等离子气相沉积（PVD）工艺。
在磁控溅射中，等离子体形成，带正电荷的离子在电场的作用下加速冲向带负电荷的电极或 "靶"。
该靶通常由要沉积到基底上的材料制成。
等离子体中的正离子在几百到几千电子伏特的电势作用下被加速，并以足够的力量撞击目标，使原子从其表面移开并喷射出来。
然后，这些原子以典型的视线余弦分布喷射出来，并凝结在靠近磁控溅射阴极的表面上。
磁控管是高沉积速率溅射源的设计，在磁控溅射中起着至关重要的作用。
它是一种磁辅助放电，通过添加永久磁铁或电磁铁来产生平行于目标表面的磁通线。
这种磁场可以集中和强化靶表面附近的等离子体，从而增强离子轰击和提高溅射率。
磁控溅射中的磁场还能控制等离子体的传输路径。
磁控管形成的磁力线从靶的一端延伸到另一端。
这种磁场捕获效应提高了低温下的电离率和涂层沉积率。
它还有助于减少薄膜中的气体掺杂，并将溅射原子的能量损失降至最低。
总的来说，磁控溅射是一种基于等离子体的涂层技术，涉及磁约束等离子体中的正电高能离子与带负电的目标材料的碰撞。
这种碰撞导致原子从靶材中喷出或溅射，然后沉积到基底上。
与其他 PVD 方法相比，磁控溅射以其生产高质量薄膜的能力和可扩展性而著称。
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