在各种科学和工业应用中，沉积可控性极强的薄膜是一项至关重要的工艺。
原子层沉积 (ALD) 是实现这一目标的有效方法之一。
什么是原子层沉积 (ALD)？
原子层沉积（ALD）是一种真空技术，可沉积出高度均匀且厚度可精确控制的薄膜。
该工艺是将基底表面交替暴露在两种化学反应物的蒸汽中。
这些反应物以自我限制的方式与表面发生反应，每次沉积一个原子层。
这样就能精确控制薄膜的厚度。
4 ALD 的主要优势
1.大面积均匀厚度
ALD 可以沉积出大面积厚度均匀的薄膜，因此适用于各种应用。
2.卓越的适形性
该技术具有出色的保形性，可在形状复杂的物体上沉积薄膜，如 MEMS 器件、光子器件、光纤和传感器。
3.更好地控制薄膜特性
与其他薄膜沉积方法相比，ALD 能更好地控制薄膜的特性和厚度。
它能够沉积纯度高、薄膜质量优异的薄膜。
4.自限性
该工艺的自限性可确保每个原子层均匀沉积，从而实现对薄膜特性的高度控制。
考虑因素和限制
必须注意的是，ALD 可能相对耗时，而且可沉积的材料有限。
该工艺要求交替接触特定的化学反应物，这可能会限制可使用材料的范围。
此外，与其他方法相比，沉积过程的连续性会增加整体沉积时间。
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