原子层沉积 (ALD) 是沉积可控性极强的薄膜的一种方法。原子层沉积（ALD）是一种真空技术，可沉积高度均匀、厚度可精确控制的薄膜。该工艺是将基底表面交替暴露在两种化学反应物的蒸汽中。这些反应物以自我限制的方式与表面发生反应，每次沉积一个原子层。这样就能精确控制薄膜的厚度。
ALD 在沉积可控薄膜方面具有多项优势。它能在大面积沉积厚度均匀的薄膜，因此适用于各种应用。该技术还具有极佳的保形性，可在形状复杂的物体上沉积薄膜，例如微机电系统设备、光子设备、光纤和传感器。这使得 ALD 成为一种可在纳米尺度上精确控制基底涂层的多功能方法。
与其他薄膜沉积方法相比，ALD 能更好地控制薄膜的特性和厚度。它能够沉积纯度高、薄膜质量优异的薄膜。该工艺的自限制特性可确保每个原子层均匀沉积，从而实现高度可控的薄膜特性。
不过，值得注意的是，ALD 可能相对耗时，而且可沉积的材料有限。该工艺需要交替接触特定的化学反应物，这可能会限制可使用材料的范围。此外，与其他方法相比，沉积过程的连续性会增加整体沉积时间。
总之，ALD 是一种高度可控和精确的薄膜沉积方法，可沉积出厚度均匀、保形性极佳的薄膜。它尤其适用于需要控制纳米尺度和在形状复杂的基底上沉积的应用。
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