半导体中的溅射是什么？精密薄膜沉积指南

在半导体制造中，溅射是物理气相沉积（PVD）的基石工艺。它是一种高度受控的方法，用于在基板（如硅晶圆）上沉积超薄、异常纯净的材料薄膜。其原理是通过高能离子轰击源材料（“靶材”），将原子从靶材表面物理性地撞击出来，使其移动并凝结到晶圆上。

溅射不仅仅是一种简单的涂层技术；它是一种精密原子级构建方法。其在半导体制造中的根本价值在于它能够沉积各种材料——从导体到绝缘体——并具有构建复杂多层集成电路所需的极高纯度和均匀性。

溅射如何工作：从等离子体到薄膜

溅射是在真空腔内进行的物理过程。了解其分步机制可以揭示它在创建微观电子结构方面的强大之处。

首先，将基板（晶圆）和靶材放入高真空腔中。这一步至关重要，可以去除可能掺入薄膜并破坏半导体器件的大气气体和其他污染物。

接下来，将少量惰性气体（几乎总是氩气 (Ar)）引入腔室。然后施加强大的电场或电磁场，使气体电离。这会产生等离子体，一种由带正电的氩离子 (Ar+) 和自由电子组成的物质状态。

要沉积的材料——例如金、铝或氧化钽——被制成“靶材”并带上强负电荷。等离子体中带正电的氩离子自然会被吸引并高速加速冲向这个带负电的靶材。

当这些高能离子与靶材碰撞时，它们会传递动量和能量，将单个原子从靶材表面物理性地撞击出来，即“溅射”。这些被溅射出的原子穿过真空腔，落在基板上，逐渐逐个原子地形成一层薄而均匀的薄膜。

溅射工艺的独特特性使其在现代微芯片制造中不可或缺，因为微芯片的性能是由纳米级的材料和精度决定的。

溅射可用于沉积各种材料。这包括用于电路布线（互连线）的导电金属（如金和铝）、用于防止层间短路的绝缘介电薄膜（如氧化硅），以及用于晶体管和其他组件的特定功能材料。

半导体性能对杂质极其敏感。溅射工艺擅长将源靶材的纯度直接转移到晶圆上的薄膜。溅射靶材的制造纯度极高（通常为99.999%或更高），并且该工艺确保这些污染物不会进入最终器件。

现代集成电路不是平面的；它们是具有数十层的三维结构。溅射是构建这种垂直堆叠的关键技术。例如，射频（RF）溅射专门用于沉积绝缘材料，这对于分离芯片内密集的金属布线层至关重要。

尽管功能强大，溅射工艺仍具有工程师必须管理的特定限制和参数。

与热蒸发等一些替代方法相比，溅射通常是一种较慢的沉积方法。虽然可以通过使用更大的功率来提高沉积速率，但这可能会损害所得薄膜的均匀性和结构质量。

溅射主要是一种“视线”工艺，这意味着溅射原子从靶材到基板沿相对直线传播。这使得难以均匀涂覆深而窄的沟槽底部和侧壁或芯片表面上的其他复杂3D特征。

溅射薄膜的最终特性——例如其厚度、密度和应力——高度依赖于工艺变量。腔室中的气体压力、施加到靶材的功率和基板温度等因素必须进行极其精确的控制，以确保可重复、高质量的结果。

溅射的应用是根据半导体器件中正在创建的特定层来选择的。

最终，掌握溅射就是掌握逐个原子层构建可靠、高性能集成电路的艺术。

关键方面	为什么它在半导体中很重要
材料通用性	沉积导体（例如，金、铝）和绝缘体（例如，氧化硅），用于不同的芯片层。
原子级纯度	将99.999%+的靶材纯度转移到晶圆上，对器件性能和可靠性至关重要。
逐层构建	通过精密、均匀的薄膜构建复杂的3D集成电路。
过程控制	气体压力和功率等变量必须精确管理，以获得可重复、高质量的结果。