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热壁 CVD（化学气相沉积）与冷壁 CVD 的主要区别在于加热方法和反应器内的温度分布。热壁 CVD 需要加热整个反应室（包括室壁）以达到均匀的温度，而冷壁 CVD 只加热基底，室壁保持室温。这种差异会影响沉积的均匀性、冷却速度和工艺的整体效率。
热壁 CVD：
在热壁 CVD 中，整个反应器（包括腔壁和基底）都会被加热。这种设置通常在反应器壁两侧使用加热器，以保持整个反应室温度均匀。这种方法的优点是便于批量处理，因此实施起来相对简单。但缺点是沉积也发生在反应器壁上，这可能导致粉末和薄片的形成，这些粉末和薄片可能会掉落到基底上，从而可能影响沉积的质量。此外，在这种反应器中，均相气相反应也很常见，这会使工艺复杂化。冷壁 CVD：
与此相反，冷壁 CVD 只加热基底，室壁保持室温。这种方法使用各种加热技术，如电流通过基底、感应加热或使用邻近基底的加热器。冷壁 CVD 的主要优点包括反应器设计更简单、沉积时间更短、基底加热和冷却速度更快，以及与维持工艺条件相关的成本更低。这些优点使冷壁 CVD 特别适合需要高产量和快速处理的应用，如石墨烯材料的生产。
对沉积和工艺控制的影响：
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