说到化学气相沉积（CVD），主要有两种类型：热壁 CVD 和冷壁 CVD。
4 个主要区别说明
1.加热方法和温度分布
热壁 CVD 和冷壁 CVD 的主要区别在于它们的加热方式。
在热壁 CVD 中，整个腔室（包括腔壁和基底）都要加热，以达到均匀的温度。
而冷壁 CVD 只加热基底，室壁保持室温。
2.对沉积均匀性的影响
加热方法的不同会影响沉积的均匀性。
热壁 CVD 的加热均匀，可使基底上的温度分布更加一致，从而提高沉积的均匀性。
但是，反应器壁上的沉积物造成污染的风险较高。
在冷壁 CVD 中，对基底的局部加热允许更快地冷却，这对于可能出现过热问题的工艺是有益的。
3.工艺效率和成本
热壁 CVD 有利于批量加工，因此实施起来相对简单。
然而，其缺点是沉积也发生在反应器壁上，这可能导致粉末和薄片的形成，这些粉末和薄片可能会掉落到基底上，从而可能影响沉积的质量。
冷壁 CVD 的反应器设计更简单，沉积时间更短，基底加热和冷却速度更快，因此可降低与维持工艺条件相关的成本。
4.不同应用的适用性
选择热壁还是冷壁 CVD 取决于应用的具体要求。
热壁 CVD 适用于需要稳定温度分布和均匀沉积的应用。
冷壁 CVD 尤其适用于要求高产量和快速处理的应用，如石墨烯材料的生产。
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