CVD（化学气相沉积）工艺的基底通常是一个晶片。
晶片暴露在一种或多种挥发性前驱体中。
这些前驱体在基片表面发生反应和/或分解，生成所需的沉积物。
这种沉积物可以是薄膜，也可以是半导体工业中使用的特定材料。
什么是 CVD 工艺的基底？需要了解的 5 个要点
1.基底的性质
CVD 的基底通常是晶片。
根据应用的不同，它可以由各种材料制成。
常见的基底包括硅、玻璃和各种金属。
基底材料的选择取决于最终产品所需的特性。
这些特性包括导电性、热稳定性和机械强度。
2.与前驱体的相互作用
在 CVD 过程中，基底会接触到挥发性前驱体。
这些前驱体是含有所需涂层或薄膜所需元素的气体或蒸汽。
这些前驱体在与加热的基底接触时会与基底发生反应或分解。
这将导致固体层的沉积。
反应通常由热能驱动。
也可使用等离子体或光化学激发等其他方法来提高反应速度。
3.薄膜形成过程中的作用
基底在决定沉积薄膜的质量和特性方面起着至关重要的作用。
表面清洁度、温度和是否存在任何表面缺陷等因素都会极大地影响沉积材料的成核和生长。
基底表面是薄膜结构的模板。
这会影响薄膜的结晶度、晶粒大小和整体形态。
4.去除副产品
前驱体在基底上发生反应时，通常会产生挥发性副产品。
这些副产物会被气流从反应室中持续清除。
这可确保它们不会干扰沉积过程或降低沉积薄膜的质量。
5.CVD 工艺的可变性
可以通过改变沉积条件来改变 CVD 过程。
这些条件包括压力（大气压、低压或超高真空）、温度以及等离子体或光化学激发的使用。
这些变化可以调整沉积过程，以实现特定的薄膜特性或适应不同的基底材料和几何形状。
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