在氮化硅 (SiN) 沉积方面，有两种常见的方法：LPCVD（低压化学气相沉积）和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）。
LPCVD 氮化硅和 PECVD 氮化硅的 4 个主要区别
1.沉积温度
- 与 PECVD SiN 相比，LPCVD SiN 的沉积温度更高。
- LPCVD 通常需要 800°C 以上的温度。
- PECVD 可以在较低的温度下进行，通常低于 400°C。
2.基底要求
- LPCVD 需要硅基底。
- PECVD 可使用钨基底。
- LPCVD 的沉积过程依赖于硅衬底的存在。
- PECVD 不一定需要硅衬底。
3.薄膜特性
- 与 PECVD SiN 相比，LPCVD SiN 薄膜的蚀刻率更低。
- LPCVD 薄膜的氢含量较高，可能会出现针孔，但薄膜寿命较长。
- PECVD 薄膜的氢含量较低，由于其化学计量、低压或超低应力特性，通常用于钝化层。
4.沉积速率
- 与 PECVD 相比，LPCVD 的沉积速率较低。
- PECVD 具有更高的沉积速率和更灵活的生长速率。
总之，LPCVD SiN 通常用于不需要较高沉积温度和较低蚀刻速率的情况。它需要硅基底，沉积速率较慢。另一方面，当需要较低的沉积温度和较快的生长速度时，就会使用 PECVD SiN。它可以沉积在各种基底上，并具有良好的钝化层特性。
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