基底温度对薄膜性能的影响可归纳如下：
1.晶相：基底温度升高会导致薄膜晶相发生变化。例如，温度升高会导致非晶相向晶相转变。
2.晶体尺寸：基底温度升高会导致薄膜中晶体尺寸减小。这是由于在较高温度下，晶格的扩散和生长会增强。
3.化学计量比例：基底温度也会影响薄膜的化学计量比例。温度升高可使薄膜的成分更均衡，从而提高薄膜的整体质量。
4.表面形态：薄膜的表面形态会受到基底温度的影响。较高的温度可促进表面反应，使薄膜表面更光滑、更均匀。
5.带隙值：基底温度的升高也会影响薄膜的带隙值。这是因为晶相、晶粒尺寸和化学计量比例的变化会影响薄膜的电子特性。
6.缺陷密度：提高衬底温度有助于补偿薄膜表面的悬浮键，从而降低缺陷密度。这将提高薄膜的整体质量。
7.附着力、结晶度和应力：基底温度是影响沉积薄膜的附着力、结晶度和应力的重要参数。通过优化温度，可以获得所需的薄膜质量和性能。
8.沉积速率：溅射材料沉积到基底上的速率（称为沉积速率）会受到基底温度的影响。优化沉积速率有助于获得理想的薄膜厚度和均匀性。
总之，基底温度在决定薄膜的晶体结构、表面形态、化学计量和电子特性方面起着至关重要的作用。通过控制基底温度，研究人员和工程师可以定制薄膜特性，以满足各种应用的特定要求。
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